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1. (WO2018225038) PROTECTION DE COURT-CIRCUIT POUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/225038 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/054178
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
H03K 17/082 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082
par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
Déposants :
NEXUS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 11 National Avenue Fletcher, NC 28732, US
Inventeurs :
BLAKELY, John H.; US
CONTI, Daniel J.; US
PRATHER, Edward C.; US
DAVIES, Norman P.; US
LANGFORD, Brian C.; US
HREHA, Ronald D.; US
FREEMAN, Belvin S.; US
Mandataire :
SPENCE, Andrew T.; US
Données relatives à la priorité :
62/517,02008.06.2017US
Titre (EN) SHORT-CIRCUIT PROTECTION FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROTECTION DE COURT-CIRCUIT POUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) A desaturation detector receives signals from a gate driver and circuitry that indicate whether a power semiconductor device is on and in desaturation. A logic circuit produces a signal as a function of the signals, from which a latch circuit produces an output signal. The signal has first and second values respectively in an as-designed condition, and in a short-circuit condition in which the power semiconductor device is on and in desaturation. The output signal has the first value, and transitioned and latched to the second value in response to a transition to the short-circuit condition, which causes the gate driver to switch the power semiconductor device off. And filter(s) reduce noise within the desaturation detector.
(FR) Selon la présente invention, un détecteur de désaturation reçoit des signaux en provenance d'un pilote de grille et de circuits qui indiquent si un dispositif semi-conducteur de puissance est en marche et en désaturation. Un circuit logique produit un signal en fonction des signaux, à partir desquels un circuit de verrouillage produit un signal de sortie. Le signal présente des première et seconde valeurs respectivement dans un état tel qu'il est conçu, et dans un état de court-circuit dans lequel le dispositif semi-conducteur de puissance est en marche et en désaturation. Le signal de sortie présente la première valeur, et est transféré et verrouillé à la seconde valeur en réponse à une transition vers l'état de court-circuit, ce qui amène le pilote de grille à commuter le dispositif semi-conducteur de puissance. Et un ou plusieurs filtres réduisent le bruit dans le détecteur de désaturation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)