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1. (WO2018224927) STRUCTURE MEMRISTIVE
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N° de publication : WO/2018/224927 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/053936
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 01.06.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
BREW, Kevin; US
NEWNS, Dennis; US
KIM, Seyoung; US
GERSHON, Talia, Simcha; US
TODOROV, Teodor, Krassimirov; US
Mandataire :
LITHERLAND, David; GB
Données relatives à la priorité :
15/616,32007.06.2017US
Titre (EN) MEMRISTIVE STRUCTUE
(FR) STRUCTURE MEMRISTIVE
Abrégé :
(EN) A method of fabricating a memristive structure for symmetric modulation between resistance states is presented. The method includes forming a first electrode and a second electrode over an insulating substrate, forming an anode contacting the first and second electrodes, forming an ionic conductor over the anode, forming a cathode of the same material as the anode over the ionic conductor, forming a third electrode over the cathode, and enabling bidirectional transport of ions between the anode and cathode resulting in a resistance adjustment of the memristive structure, the anode and the cathode being formed from metastable mixed conducting materials with ion concentration dependent conductivity.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure memristive de modulation symétrique entre des états de résistance. Le procédé consiste à former une première électrode et une deuxième électrode sur un substrat isolant, à former une anode en contact avec les première et deuxième électrodes, à former un conducteur ionique sur l'anode, à former une cathode du même matériau que l'anode sur le conducteur ionique, à former une troisième électrode sur la cathode, et à permettre un transport bidirectionnel d'ions entre l'anode et la cathode, ce qui entraîne un ajustement de résistance de la structure memristive, l'anode et la cathode étant formées à partir de matériaux conducteurs mélangés métastables ayant une conductivité dépendant de la concentration ionique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)