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1. (WO2018224449) RÉGULATEUR D'ÉNERGIE POUR CRISTALLISATION DE SILICIUM PAR LASER À EXCIMÈRE
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N° de publication : WO/2018/224449 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/064651
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 04.06.2018
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01S 3/13 (2006.01) ,H01S 3/134 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
10
Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
13
Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence, amplitude
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
10
Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
13
Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence, amplitude
131
par commande du milieu actif, p.ex. par commande des procédés ou des appareils pour l'excitation
134
dans des lasers à gaz
Déposants :
COHERENT LASERSYSTEMS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Hans-Böckler-Strasse 12 37079 Göttingen, DE
Inventeurs :
BRAGIN, Igor; DE
Mandataire :
SACKIN, Robert; REDDIE & GROSE LLP The White Chapel Building 10 Whitechapel High Street London Greater London E1 8QS, GB
Données relatives à la priorité :
15/613,66205.06.2017US
Titre (EN) ENERGY CONTROLLER FOR EXCIMER-LASER SILICON CRYSTALLIZATION
(FR) RÉGULATEUR D'ÉNERGIE POUR CRISTALLISATION DE SILICIUM PAR LASER À EXCIMÈRE
Abrégé :
(EN) Excimer laser annealing apparatus (40) includes an excimer laser (42) delivering laser-radiation pulses to a silicon layer (58) supported on a substrate translated with respect to the laser pulses such that the consecutive pulses overlap on the substrate. The energy of each of the laser-radiation pulses is monitored, transmitted to control-electronics (48), and the energy of a next laser pulse is adjusted by a high- pass digital filter (62).
(FR) L'appareil de recuit au laser à excimère (40) de l'invention comprend un laser à excimère (42) qui envoie des impulsions de rayonnement laser à une couche de silicium (58) portée sur un substrat translaté par rapport aux impulsions laser, de sorte que les impulsions consécutives se chevauchent sur le substrat. L'énergie de chaque impulsion de rayonnement laser est surveillée, transmise à l'électronique de commande (48), et l'énergie d'une impulsion laser suivante est régulée par un filtre numérique passe-haut (62).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)