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1. (WO2018224183) FILAMENT DE DEL
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N° de publication : WO/2018/224183 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/000300
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
F21K 9/232 (2016.01) ,F21K 9/90 (2016.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,F21Y 103/10 (2016.01) ,F21Y 115/10 (2016.01)
[IPC code unknown for F21K 9/232][IPC code unknown for F21K 9/90]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
[IPC code unknown for F21Y 103/10][IPC code unknown for F21Y 115/10]
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
LEE, Ee Lian; MY
ECKERT, Tilman; MY
BERTRAM, Ralph; DE
NG, Kok Eng; MY
MAT NAZRI, Anuarul Ikhwan; MY
Mandataire :
WILHELM & BECK; Patent Attorneys Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 112 642.208.06.2017DE
Titre (EN) LED FILAMENT
(FR) FILAMENT DE DEL
(DE) LED-FILAMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to an LED filament (1) comprising a substrate (2), two electrical connections being embodied on the substrate (2) and at least two radiation-emitting semiconductor chips being arranged on the substrate (2), the semiconductor chips being electroconductively connected to the electrical connections, the substrate (2) consisting of a material transparent to electromagnetic radiation, the lower sides of the semiconductor chips being connected to the substrate (2) by means of an adhesive layer (14), the adhesive layers (14) comprising conversion material (15), the conversion material (15) being designed to offset at least one part of the wavelength of the radiation of the semiconductor chips, and the semiconductor chips comprising a conversion layer (18) on the upper sides (16) and the side surfaces (17), the conversion layers (18) being designed to offset at least one part of the wavelength of the radiation of the semiconductor chips.
(FR) L'invention concerne un filament de DEL (1) comprenant un support (2), deux connexion électriques (2) étant formées sur le support (2). Au moins deux puces à semi-conducteur électroluminescentes sont agencées sur le support (2) , les puces à semi-conducteur étant connectées de manière électro-conductrice aux connexions électriques. Le support (2) est formé d'un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Les faces inférieures de la puce à semi-conducteur sont reliées au support (2) par une couche adhésive (14). Les couches adhésives (14) présentent un matériau de conversion (15), le matériau de conversion (15) étant conçu pour faire glisser au moins une partie de la longueur d'onde du rayonnement de la puce à semi-conducteur, et les puces à semi-conducteur sur les faces supérieures (16) et les surfaces latérales (17) présentant une couche de conversion (18), les couches de conversion (18) étant conçues pour faire glisser au moins une partie de la longueur d'onde du rayonnement des puces à semi-conducteur.
(DE) LED-Filament (1) mit einem Träger (2), wobei zwei elektrische Anschlüsse am Träger (2) ausgebildet sind, wobei auf dem Träger (2) wenigstens zwei Strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips elektrisch leitend mit den elektrischen Anschlüssen verbunden sind, wobei der Träger (2) aus einem für elektromagnetische Strahlung transparenten Material gebildet ist, wobei Unterseiten der Halbleiterchips über eine Klebeschicht (14) mit dem Träger (2) verbunden sind, wobei die Klebeschichten (14) Konversionsmaterial (15) aufweisen, wobei das Konversionsmaterial (15) ausgebildet ist, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben, und wobei die Halbleiterchips auf Oberseiten (16) und Seitenflächen (17) eine Konversionsschicht (18) aufweisen, wobei die Konversionsschichten (18) ausgebildet sind, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)