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1. (WO2018223809) DISPOSITIF QLED ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/223809 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/086559
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 11.05.2018
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
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spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
宋莹莹 SONG, Yingying; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710414183.505.06.2017CN
Titre (EN) QLED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF QLED ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种QLED器件及其制作方法
Abrégé :
(EN) Provided are a QLED device and a manufacturing method thereof capable of solving a technical problem in which poor hole injection and transport performance results in poor performance of QLED devices. The QLED device comprises a substrate (1), an ITO electrode layer (2), a p-doped dielectric layer (3), a hole transport layer (4), a quantum dot light emitting layer (5), an electron transport layer (6), and a top electrode layer (7).
(FR) L'invention concerne un dispositif QLED et un procédé de fabrication de celui-ci capables de résoudre un problème technique dans lequel une mauvaise injection de trous et une performance de transport ont pour résultat de mauvaises performances de dispositifs QLED. Le dispositif QLED comprend un substrat (1), une couche d'électrode ITO (2), une couche diélectrique dopée p (3), une couche de transport de trous (4), une couche électroluminescente à points quantiques (5), une couche de transport d'électrons (6), et une couche d'électrode supérieure (7).
(ZH) 一种QLED器件及其制作方法,解决了QLED器件的空穴注入与传输的性能较差,导致QLED器件的性能较差的技术问题。该QLED器件包括:基板(1),以及依次层叠设置在基板(1)的ITO电极层(2)、P掺杂的介质层(3)、空穴传输层(4)、量子点发光层(5)、电子传输层(6)和顶电极层(7)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)