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1. (WO2018223689) SUBSTRAT DE RÉSEAU, PANNEAU D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
Document

说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  

附图

1   2   3   4   5   6   7  

说明书

发明名称 : 一种阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

[0001]
本发明的实施例涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

[0002]
随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏是将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部,可以减薄模组整体的厚度,又可以大大降低触摸屏的制作成本,受到各大面板厂家青睐。
[0003]
源极和漏极然而,期望实现触控信号线与公共电极之间的有效接触,减少接触电阻,提高触摸屏对触控位置的检测精度。
[0004]
发明内容
[0005]
本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,可以实现触控信号线与公共电极之间的有效接触,减少接触电阻,提高触摸屏对触控位置的检测精度。
[0006]
本公开的实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板,以及在所述衬底基板上依次设置的金属连接件、第一绝缘层、信号线、第二绝缘层和公共电极;所述金属连接件的材质与所述信号线的材质相异;其中,
[0007]
所述信号线和所述公共电极通过所述金属连接件电连接;且所述金属连接 件与所述公共电极之间的接触电阻,小于所述信号线与所述公共电极之间的接触电阻。
[0008]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,还包括:设置于所述公共电极与所述衬底基板之间的薄膜晶体管;其中,
[0009]
所述信号线与所述薄膜晶体管中的源极和漏极同材质且同层设置。
[0010]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述信号线包括叠层设置的至少两种金属材料。
[0011]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述信号线由两层金属钛材料和一层金属铝材料构成;且所述金属铝材料位于两层所述金属钛材料之间。
[0012]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述金属连接件与所述薄膜晶体管中的栅极同材质且同层设置。
[0013]
在一种可选的实施方式中,阵列基板还包括过孔,用于形成金属连接件和公共电极的电连接,其中,第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度,过孔包括穿过第一绝缘层的过孔第一部分和穿过第二绝缘层的过孔第二部分,过孔第一部分的截面尺寸大于过孔第二部分的截面尺寸。
[0014]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。
[0015]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管;
[0016]
所述阵列基板还包括:设置于所述衬底基板与所述薄膜晶体管之间的遮光层;且所述遮光层在所述衬底基板上的正投影,覆盖所述薄膜晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影;
[0017]
所述金属连接件与所述遮光层同材质且同层设置。
[0018]
在一种可选的实施方式中,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与薄膜晶体管中的有源层在衬底基板上的正投影完全重叠。
[0019]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述金属连接件包括金属钼材料。
[0020]
在一种可选的实施方式中,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,所述公共电极为触控电极;所述信号线为触控信号线。
[0021]
本公开的实施例还提供了一种显示面板,包括:如本公开的实施例提供的上述阵列基板。
[0022]
本公开的实施例还提供了一种显示装置,包括:如本公开的实施例提供的上述显示面板。

附图说明

[0023]
图1为现有技术中阵列基板的侧视图;
[0024]
图2为本公开的实施例中提供的阵列基板的俯视图;
[0025]
图3至图6分别为图2中所示的沿X-X’位置的阵列基板的侧视图;
[0026]
图7为本公开的实施例中提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

[0027]
下面将结合附图,对本公开的实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。需要说明的是,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
[0028]
目前,在内嵌式触摸屏中,将触控信号线与触控电极直接电连接,以实现触控信号的传输。图1示出一种阵列基板的侧视图,触控信号线1位于绝缘层2之上,且与源极和漏极3同材质且同层设置,位于平坦层4之上的触控电极5,通过平坦层4中的过孔6与触控信号线1电连接。而通常,触控信号线是由金属钛(Ti)和金属铝(Al)叠层设置构成,即第一层为Ti,第二层为Al, 第三层为Ti,公共电极或触控电极5一般是由氧化铟锡材料(ITO)构成。在制作阵列基板的过程中,因Ti容易发生氧化,使得触控信号线的氧化的Ti层在与ITO接触时,会产生较大的接触电阻,影响触控信号的传输,从而影响触摸屏对触控位置的检测精度。
[0029]
本公开的实施例提供了一种阵列基板,如图2所示的阵列基板的俯视图,100表示栅线,200表示数据线,300表示公共电极,且公共电极300可以面状的,也可以是块状的,400表示狭缝状的像素电极,但像素电极400并不限于此结构,500表示与公共电极300电连接的信号线,图中未示出公共电极300与信号线500的连接关系。
[0030]
具体地,本公开的实施例提供的上述阵列基板,与图2所示的俯视图中沿X-X’位置的侧视图如图3至图6所示,可以包括:衬底基板10,以及在衬底基板10上依次设置的金属连接件20、第一绝缘层30、信号线500、第二绝缘层40和公共电极300;金属连接件20的材质与信号线500的材质可以不同;其中,
[0031]
信号线500和公共电极300通过金属连接件20电连接;且金属连接件20与公共电极300之间的接触电阻,小于信号线500与公共电极300之间的接触电阻。
[0032]
本公开的实施例提供的上述阵列基板,通过金属连接件20的设置,实现了信号线500与公共电极300之间的电连接;并且,因金属连接件20与公共电极300之间的接触电阻较小,可以实现金属连接件20与公共电极300之间的有效接触,有利于实现通过信号线500将公共电极300的信号传输至相应的芯片,并有效避免了因信号线500与公共电极300之间的接触电阻较大而导致的信号传输不良的问题。
[0033]
在具体实施时,为了简化制作工艺,降低制作成本,在制作信号线500时,可以与阵列基板中薄膜晶体管的源极51和漏极51’同层设置且同材质,即通过一次构图工艺即可得到信号线500、源极和漏极。因此,在本公开的实施例提 供的上述阵列基板中,如图3至图6所示,还可以包括:设置于公共电极300与衬底基板10之间的薄膜晶体管50;其中,
[0034]
信号线500与薄膜晶体管50中的源极51和漏极51’同材质且同层设置。
[0035]
具体地,在制作信号线时,为了降低信号线与相应部件的接触电阻,实现信号线与相应部件的有效接触,便于信号的有效传输,通常,采用多种金属材料来制作信号线,并根据不同金属的功函数,来设计信号线的具体结构。因此,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,信号线可以包括叠层设置的至少两种金属材料。
[0036]
进一步地,在信号线由两种金属材料构成时,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,信号线由两层金属钛材料和一层金属铝材料构成;且金属铝材料位于两层金属钛材料之间。
[0037]
制作信号线时并不限于使用金属钛材料和金属铝材料,在其他实施例中,还可以使用其他符合实际需要的金属材料;并且,信号线还可以为两层结构,并不限于上述给出的三层结构,在此不作限定。
[0038]
在具体实施时,在如图3至图6所示的阵列基板中,薄膜晶体管50可以为顶栅型薄膜晶体管,还可以为底栅型薄膜晶体管。具体地,在图3至图5的实施例中,薄膜晶体管为顶栅型,其结构由上至下依次为:源极51和漏极51’、第一绝缘层30、栅极52、栅绝缘层53和有源层54。在图6的实施例中,薄膜晶体管50为底栅型,其结构由上至下依次为:源极51和漏极51’、第一绝缘层30、有源层54、栅绝缘层53和栅极52。
[0039]
具体地,不管薄膜晶体管为顶栅型,还是为底栅型,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,如图5和图6所示,金属连接件20可以与薄膜晶体管50中的栅极52同材质且同层设置。
[0040]
具体地,当薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时;在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,如图3至图5所示,阵列基板还可以包括:设置于衬底基板10与薄膜晶体管50之间的遮光层60;且遮光层60在衬底基板10上的正投影, 覆盖薄膜晶体管50中的有源层54在衬底基板10上的正投影,以避免背光进入到有源层54时,产生光生载流子而影响有源层54的活性。在一个实施例中,遮光层60在衬底基板10上的正投影可以与薄膜晶体管50中的有源层54在衬底基板10上的正投影完全重叠,如图3和图5所示。在另一实施例中,薄膜晶体管50中的有源层54在衬底基板10上的正投影完全落入遮光层60在衬底基板10上的正投影内,如图4所示。此外,在如图3和4所示的实施例中,为了简化制作工艺,减少制作成本,可以将金属连接件20与遮光层60同材质且同层设置。例如,可以通过一次构图工艺形成金属连接件20和遮光层60,从而减少构图和曝光次数,简化工艺降低成本。
[0041]
在具体实施时,如图3至图6所示,在本公开的实施例提供的阵列基板中,为了实现公共电极300与金属连接件20的电连接,需要在金属连接件20所在层与公共电极300所在层之间的膜层设置过孔,而设置于金属连接件20所在层与公共电极300所在层之间的膜层数量至少为两个,且第二绝缘层40通常又被称为平坦层,用于为公共电极300提供平整的表面。平坦层的厚度一般较厚,这造成过孔较深,增加了过孔的制作难度,还有可能造成公共电极300与金属连接件20之间的接触不良。为了避免这些问题,结合图4所示的阵列基板的结构,可以将贯穿第二绝缘层40和第一绝缘层30的过孔第一部分71的直径,设置为大于贯穿栅绝缘层53的过孔第二部分72的直径,如图4所示,即设置为套孔结构,可以有效的避免公共电极300与金属连接件20之间的接触不良,并降低了制作难度。换句话说,在本公开的实施例中,设置过孔用于形成金属连接件20和公共电极300的电连接,其中,由于第二绝缘层40的厚度大于第一绝缘层30的厚度,过孔包括穿过第一绝缘层的过孔第一部分71和穿过第二绝缘层的过孔第二部分72,过孔第一部分71的截面尺寸大于过孔第二部分72的截面尺寸(如图4所示)。
[0042]
在具体实施时,在本公开的实施例提供的上述阵列基板应用到内嵌式触摸屏时,通常是将面状的公共电极分割成多个规则排列的方块,形成块状电极, 此块状电极可以用作触控电极,当该阵列基板属于液晶显示面板中的阵列基板时,该块状电极还可以与像素电极形成电场,驱动液晶用于显示;因此,本公开的实施例提供的上述阵列基板中的信号线可以为触控信号线,用于将公共电极作为触控电极时接收到的触控信号传输至触控芯片中,实现触控的功能。
[0043]
具体地,公共电极通常是由透明导电氧化物制作而成,例如氧化铟锡(ITO),当然并不限于ITO;一般地,ITO与氧化的金属钛(Ti)之间的接触电阻较大,而ITO与金属钼(Mo)之间的接触电阻则较小;因此,在本公开的实施例提供的上述阵列基板中,金属连接件包括金属钼材料。
[0044]
进一步地,在金属连接件与薄膜晶体管中的栅极同材质且同层设置时,可以使得金属连接件和薄膜晶体管中的栅极均由金属钼材料制作而成;而在金属连接件与遮光层同材质且同层设置时,可以使得金属连接件和遮光层均由金属钼材料制作而成;即通过一次构图工艺即可以同时得到金属连接件和栅极,或同时得到金属连接件和遮光层,大大简化了制作工艺,节约了制作成本。
[0045]
基于同一发明构思,本公开的实施例还提供了一种显示面板,如图7所示,可以包括:阵列基板701,阵列基板701可以是如本公开的实施例提供的上述;当该显示面板为液晶显示面板时,还包括与阵列基板701相对而置的对向基板702。
[0046]
基于同一发明构思,本公开的实施例还提供了一种显示装置,可以包括:如本公开的实施例提供的上述显示面板。该显示装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、电视、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与显示面板相似,因此该显示装置具体实施可参见上述显示面板的实施,重复之处不再赘述。
[0047]
本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,以及在衬底基板上依次设置的金属连接件、第一绝缘层、信号线、第二绝缘层和公共电极;金属连接件的材质与信号线的材质相异;信号线和公共电极通过金属连接件电连接;且金属连接件与公共电极之间的接触电 阻,小于信号线与公共电极之间的接触电阻。因此,通过金属连接件的设置,实现了信号线与公共电极的电连接;并且,因金属连接件与公共电极之间的接触电阻较小,可以实现金属连接件与公共电极之间的有效接触,有利于实现通过信号线将公共电极的信号传输至相应的芯片中,并有效避免了因信号线与公共电极之间的接触电阻较大而导致的信号传输不良的问题。
[0048]
显然,本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样,倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内,则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

权利要求书

[权利要求 1]
一种阵列基板,包括:衬底基板,以及在所述衬底基板上依次设置的金属连接件、第一绝缘层、信号线、第二绝缘层和公共电极,第一绝缘层位于金属连接件和信号线之间,第二绝缘层位于信号线和公共电极之间;所述金属连接件的材质与所述信号线的材质相异;其中, 所述信号线和所述公共电极通过所述金属连接件电连接;且所述金属连接件与所述公共电极之间的接触电阻,小于所述信号线与所述公共电极之间的接触电阻。
[权利要求 2]
如权利要求1所述的阵列基板,还包括:设置于所述公共电极与所述衬底基板之间的薄膜晶体管;其中, 所述信号线与所述薄膜晶体管中的源极和漏极同材质且同层设置。
[权利要求 3]
如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述信号线包括叠层设置的至少两种金属材料。
[权利要求 4]
如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述信号线由两层金属钛材料和一层金属铝材料构成;且所述金属铝材料位于两层金属钛材料之间。
[权利要求 5]
如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述金属连接件与所述薄膜晶体管中的栅极同材质且同层设置。
[权利要求 6]
如权利要求1所述的阵列基板,还包括过孔,用于形成金属连接件和公共电极的电连接,其中,第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度,过孔包括穿过第一绝缘层的过孔第一部分和穿过第二绝缘层的过孔第二部分,过孔第一部分的截面尺寸大于过孔第二部分的截面尺寸。
[权利要求 7]
如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。
[权利要求 8]
如权利要求7所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管; 所述阵列基板还包括:设置于所述衬底基板与所述薄膜晶体管之间的遮光层;且所述遮光层在所述衬底基板上的正投影,覆盖所述薄膜晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影; 所述金属连接件与所述遮光层同材质且同层设置。
[权利要求 9]
如权利要求7或8所述的阵列基板,其中,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与薄膜晶体管中的有源层在衬底基板上的正投影完全重叠。
[权利要求 10]
如权利要求1-9任一项所述的阵列基板,其中,所述金属连接件包括金属钼材料。
[权利要求 11]
如权利要求1-9任一项所述的阵列基板,其中,所述公共电极为触控电极;所述信号线为触控信号线。
[权利要求 12]
一种显示面板,包括:如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
[权利要求 13]
一种显示装置,包括:如权利要求12所述的显示面板。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]