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1. (WO2018223658) CIRCUIT DE DÉTECTION PHOTOÉLECTRIQUE ET DÉTECTEUR PHOTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/223658 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/116982
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 18.12.2017
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
24
avec des détecteurs à semi-conducteurs
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
史永明 SHI, Yongming; CN
马占洁 MA, Zhanjie; CN
田慧 TIAN, Hui; CN
王纯 WANG, Chun; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710434403.009.06.2017CN
Titre (EN) PHOTOELECTRIC DETECTION CIRCUIT AND PHOTOELECTRIC DETECTOR
(FR) CIRCUIT DE DÉTECTION PHOTOÉLECTRIQUE ET DÉTECTEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(ZH) 光电探测电路以及光电探测器
Abrégé :
(EN) Disclosed are a photoelectric detection circuit and a photoelectric detector. The photoelectric detection circuit comprises a first sub-circuit (110) and a second sub-circuit (120), wherein the first sub-circuit (110) comprises a first photoelectric sensing element (10), and the second sub-circuit (120) comprises a second photoelectric sensing element (20), the electrical properties of the first photoelectric sensing element (10) and the electrical properties of the second photoelectric sensing element (20) being substantially the same; and the first sub-circuit (110) is configured to receive a first group of power source signals, such that the first photoelectric sensing element (10) outputs a first electrical sensing signal, and the second sub-circuit (120) is configured to receive a second group of power source signals, such that the second photoelectric sensing element (20) outputs a second electrical sensing signal, the polarities of the first electrical sensing signal and second electrical sensing signal being the opposite of each other, and the values thereof being substantially equal.
(FR) L'invention concerne un circuit de détection photoélectrique et un détecteur photoélectrique. Le circuit de détection photoélectrique comprend un premier sous-circuit (110) et un second sous-circuit (120), le premier sous-circuit (110) comprenant un premier élément de détection photoélectrique (10), et le second sous-circuit (120) comprenant un second élément de détection photoélectrique (20), les propriétés électriques du premier élément de détection photoélectrique (10) et les propriétés électriques du second élément de détection photoélectrique (20) étant sensiblement identiques ; et le premier sous-circuit (110) est configuré pour recevoir un premier groupe de signaux de source d'alimentation, de telle sorte que le premier élément de détection photoélectrique (10) délivre en sortie un premier signal de détection électrique, et le second sous-circuit (120) est configuré pour recevoir un second groupe de signaux de source d'alimentation, de telle sorte que le second élément de détection photoélectrique (20) délivre un second signal de détection électrique, les polarités du premier signal de détection électrique et du second signal de détection électrique étant les polarités opposées l'une de l'autre, et leurs valeurs étant sensiblement égales.
(ZH) 一种光电探测电路和光电探测器,其中,光电探测电路包括:第一子电路(110)和第二子电路(120),第一子电路(110)包括第一光电感应元件(10),第二子电路(120)包括第二光电感应元件(20),第一光电感应元件(10)与第二光电感应元件(20)的电学特性基本相同,第一子电路(110)被配置为接收第一组电源信号以使第一光电感应元件(10)输出第一感应电信号,第二子电路(120)被配置为接收第二组电源信号以使第二光电感应元件(20)输出第二感应电信号,第一感应电信号与第二感应电信号极性相反、数值基本相等。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)