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1. (WO2018223427) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/223427 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089460
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 22.06.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
石龙强 SHI, Longqiang; CN
陈书志 CHEN, Shu-jhih; CN
Mandataire :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806 Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No.8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710423982.907.06.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, TFT SUBSTRATE, AND DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板
Abrégé :
(EN) A thin film transistor, TFT substrate, and display panel. The thin film transistor (30) comprises a gate (31), a source (33), and a drain (32). The source is configured as a first bent structure (331). The drain is configured as a second bent structure (321). The gate is configured as a third bent structure (311). The first bent structure of the source is arranged opposite to the second bent structure of the drain. The third bent structure of the gate is arranged between the first bent structure of the source and the second bent structure of the drain, thus facilitating fabrication of a thin bezel of a display panel.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces, un substrat de transistor à couches minces et un panneau d'affichage. Le transistor à couches minces (30) comprend une grille (31), une source (33) et un drain (32). La source est configurée sous la forme d'une première structure courbée (331). Le drain est configuré sous la forme d'une seconde structure courbée (321). La grille est configurée sous la forme d'une troisième structure courbée (311). La première structure courbée de la source est disposée à l'opposé de la seconde structure courbée du drain. La troisième structure courbée de la grille est disposée entre la première structure courbée de la source et la seconde structure courbée du drain, ce qui facilite la fabrication d'un cadre mince d'un panneau d'affichage.
(ZH) 一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板。薄膜晶体管(30)包括栅极(31)、源极(33)以及漏极(32),其中,源极设置为第一弯曲结构(331),漏极设置为第二弯曲结构(321),栅极设置为第三弯曲结构(311),其中,源极的第一弯曲结构与漏极的第二弯曲结构相对设置,栅极的第三弯曲结构设置在源极的第一弯曲结构和漏极的第二弯曲结构之间,从而有利于显示面板的窄边框的制作。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)