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1. (WO2018223413) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'ENROBAGE EN CONTINU DE NANOPARTICULES PAR DÉPÔT SPATIAL DE COUCHE ATOMIQUE
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N° de publication : WO/2018/223413 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/088371
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 15.06.2017
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/54 (2006.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
54
Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
Déposants :
华中科技大学 HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 洪山珞喻路1037号 No.1037 Luoyu Road, Hongshan Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventeurs :
陈蓉 CHEN, Rong; CN
巴伟明 BA, Weiming; CN
曲锴 QU, Kai; CN
李云 LI, Yun; CN
曹坤 CAO, Kun; CN
但威 DAN, Wei; CN
Mandataire :
华中科技大学专利中心 HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY PATENT AGENCY CENTER; 中国湖北省武汉市 洪山区珞喻路1037号华中科技大学东一楼340 Suite 340, Building East One, Huazhong University of Science and Technology No.1037 Luoyu Road, Hongshan Wuhan, Hubei 430074, CN
Données relatives à la priorité :
201710423764.507.06.2017CN
Titre (EN) CONTINUOUS CLADDING APPARATUS AND METHOD FOR NANO-PARTICLES BASED ON SPATIAL ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'ENROBAGE EN CONTINU DE NANOPARTICULES PAR DÉPÔT SPATIAL DE COUCHE ATOMIQUE
(ZH) 一种纳米颗粒空间原子层沉积连续包覆装置及方法
Abrégé :
(EN) Provided are a continuous cladding apparatus and method for nano-particles based on spatial atomic layer deposition. The apparatus comprises first-stage, second-stage, third-stage and fourth-stage pipeline units which are connected successively, wherein the first-stage pipeline unit is used for providing first precursors (3) and enabling the first precursors (3) to complete adsorption on the surfaces of nano-particles; the third pipeline unit is used for providing second precursors (6) and enabling the second precursors (6) to react with the first precursors (3) on the surfaces of the nano-particles, so that a single molecule thin film layer is generated on the surfaces of the nano-particles; and the second and the fourth pipeline units are used for cleaning the nano-particles, so as to discharge the first redundant precursors (3) and the second redundant precursors (6) or by-products generated during the reaction. According to the apparatus, the cladding rate and uniformity of a deposited thin film are improved, and the powder surface cladding efficiency is improved.
(FR) L'invention concerne un appareil et un procédé d'enrobage en continu de nanoparticules par dépôt spatial de couche atomique. L'appareil comprend des unités de canalisation de premier étage, de deuxième étage, de troisième étage et de quatrième étage reliées successivement. L'unité de canalisation de premier étage sert à introduire des premiers précurseurs (3) et à permettre aux premiers précurseurs (3) d'être adsorbés sur les surfaces des nanoparticules ; la troisième unité de canalisation sert à introduire des seconds précurseurs (6) et à permettre aux seconds précurseurs (6) de réagir avec les premiers précurseurs (3) sur les surfaces des nanoparticules, de telle sorte qu'une couche de film mince monomoléculaire est formée sur les surfaces des nanoparticules ; et les deuxième et quatrième unités de canalisation servent à nettoyer les nanoparticules, de façon à évacuer les premiers précurseurs (3) inutilisés et les seconds précurseurs (6) inutilisés ou des sous-produits produits pendant la réaction. Selon l'appareil de l'invention, le taux d'enrobage et l'uniformité d'un film mince déposé sont améliorés, et l'efficacité d'enrobage de la surface de la poudre est améliorée.
(ZH) 一种纳米颗粒空间原子层沉积连续包覆装置及其方法,包括依次连接的第一、第二、第三及第四级管路单元;所述第一级管路单元用于提供第一前驱体(3),并使第一前驱体(3)在纳米颗粒的表面完成吸附;所述第三级管路单元用于提供第二前驱体(6),并使第二前驱体(6)与所述纳米颗粒表面的第一前驱体(3)发生反应,以在纳米颗粒表面生成单分子薄膜层;所述第二、第四级管路单元用于对所述纳米颗粒进行清洗,排出多余的第一前驱体(3)、第二前驱体(6)或反应产生;该装置提高沉积薄膜的包覆率和均匀性,提高粉体表面包覆的效率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)