Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018223314) DISPOSITIF DE REVÊTEMENT ET PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT POUR CELLULES SOLAIRES PERC DE TYPE À TUBE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/223314 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/087443
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 07.06.2017
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
458
caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
浙江爱旭太阳能科技有限公司 ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国浙江省义乌市 苏溪镇苏福路126号 No.126 Sufu Road, Suxi Town Yiwuy, Zhejiang 321000, CN
广东爱康太阳能科技有限公司 GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省佛山市 三水区三水工业园区C区69号 No.69, Area C, Sanshui Industrial Park, Sanshui Foshan, Guangdong 528000, CN
Inventeurs :
林纲正 LIN, Kang-Cheng; CN
方结彬 FANG, Jiebin; CN
赖俊文 LAI, Chun-Wen; CN
何达能 HO, Ta-neng; CN
陈刚 CHEN, Gang; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀先烈中路80号汇华商贸大厦1508 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80, Xianliezhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510000, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COATING DEVICE AND COATING METHOD FOR TUBE-TYPE PERC SOLAR CELLS
(FR) DISPOSITIF DE REVÊTEMENT ET PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT POUR CELLULES SOLAIRES PERC DE TYPE À TUBE
(ZH) 管式PERC太阳能电池的镀膜设备及镀膜方法
Abrégé :
(EN) A coating device for tube-type PERC solar cells, comprising a wafer loading area (1), a furnace body (2), a special gas cabinet (3), a vacuum system (4), a heating system (7), a control system (5), and a graphite boat (6). The special gas cabinet (3) is provided with a first gas pipeline for introducing silane, a second gas pipeline for introducing ammonia gas, a third gas pipeline for introducing trimethylaluminum, a fourth gas pipeline for introducing nitrous oxide, and a fifth gas pipeline for introducing methane. The graphite boat (6) is used for loading and unloading of silicon wafers, and the graphite boat (6) needs to be pretreated before use or after use by coating multiple times, the pretreatment comprising: drying the graphite boat (6); and coating at least one silicon carbide film on the surface of the dried graphite boat (6). The present application further discloses a coating method for a tube-type PERC solar cell. By adopting the method, graphite boat pretreatment steps are simplified, consumption of silicon wafers is reduced, scratching of silicon wafers is avoided, and EL yield of cells is improved.
(FR) L'invention concerne un dispositif de revêtement pour des cellules solaires PERC de type à tube, comprenant une zone de chargement de galette (1), un corps de four (2), une armoire à gaz spécial (3), un système à vide (4), un système de chauffage (7), un système de commande (5) et une nacelle en graphite (6). L'armoire à gaz spécial (3) est pourvue d'une première conduite de gaz destinée à introduire du silane, d'une deuxième conduite de gaz destinée à introduire un gaz ammoniac, d'une troisième conduite de gaz destinée à introduire du triméthylaluminium, d'une quatrième conduite de gaz destinée à introduire de l'oxyde nitreux et d'une cinquième conduite de gaz destinée à introduire du méthane. La nacelle en graphite (6) est utilisée pour charger et décharger des galettes en silicium, et la nacelle en graphite (6) doit être prétraitée avant utilisation ou après utilisation par de multiples opérations de revêtement, le prétraitement comprenant : le séchage de la nacelle en graphite (6); et l'application d'au moins un film de carbure de silicium sur la surface de la nacelle en graphite (6) séchée. La présente invention concerne en outre un procédé de revêtement pour une cellule solaire PERC de type à tube. Le procédé permet de simplifier les étapes de prétraitement de la nacelle en graphite, de réduire la consommation de galettes en silicium, d'éviter de rayer les galettes en silicium est évité et d'améliorer le rendement EL des cellules.
(ZH) 一种管式PERC太阳能电池的镀膜设备,包括晶片装载区(1)、炉体(2)、特气柜(3)、真空系统(4)、加热系统(7)、控制系统(5)以及石墨舟(6),特气柜(3)设有用于通入硅烷的第一气体管路、用于通入氨气的第二气体管路、用于通入三甲基铝的第三气体管路、用于通入笑气的第四气体管路以及用于通入甲烷的第五气体管路;石墨舟(6)用于装卸硅片,石墨舟(6)在使用之前或经过多次镀膜之后需经预处理,预处理包括:将石墨舟(6)烘干;在烘干后的石墨舟(6)的表面,镀至少一层碳化硅膜。该申请还公开了一种管式PERC太阳能电池的镀膜方法。采用该方法,简化石墨舟预处理步骤,节省硅片的消耗,并避免对硅片的划伤,提高了电池的EL良率。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)