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1. (WO2018222942) DÉTECTION DE GAZ À L'ÉTAT DE TRACES PAR LASER À CASCADE QUANTIQUE POUR LA SURVEILLANCE IN SITU, LA RÉGULATION DE PROCESSUS ET L'AUTOMATISATION DE LA DÉTERMINATION DE POINT FINAL DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DANS LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/222942 N° de la demande internationale : PCT/US2018/035500
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 31.05.2018
CIB :
G01N 21/3504 (2014.01) ,G01N 21/03 (2006.01) ,G01N 21/31 (2006.01) ,G01N 21/39 (2006.01)
[IPC code unknown for G01N 21/3504]
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
01
Dispositions ou appareils pour faciliter la recherche optique
03
Détails de structure des cuvettes
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25
Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
31
en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25
Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
31
en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique
39
en utilisant des lasers à longueur d'onde réglable
Déposants :
AECOM (DELAWARE CORPORATION) [US/US]; 1999 Avenue Of The Stars, Suite 260 Los Angeles, CA 90067, US
Inventeurs :
GALLARDO, Ignacio; US
BELLON, Alex; US
BENAWAY, Bryan; US
HALL, Steven; US
MODRAK, Mark; US
SPRINGER, Sean; US
Mandataire :
ALTMAN, Daniel, E.; US
Données relatives à la priorité :
62/513,95301.06.2017US
62/611,12528.12.2017US
Titre (EN) QUANTUM CASCADE LASER TRACE-GAS DETECTION FOR IN-SITU MONITORING, PROCESS CONTROL, AND AUTOMATING END-POINT DETERMINATION OF CHAMBER CLEAN IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
(FR) DÉTECTION DE GAZ À L'ÉTAT DE TRACES PAR LASER À CASCADE QUANTIQUE POUR LA SURVEILLANCE IN SITU, LA RÉGULATION DE PROCESSUS ET L'AUTOMATISATION DE LA DÉTERMINATION DE POINT FINAL DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DANS LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A process for in-situ monitoring, process control, and the determination of an endpoint state of a chamber clean during the semiconductor manufacturing process attaches a tunable quantum cascade laser (QCL) (20) to the processing chamber (22) or the foreline of a semiconductor fabrication tool to detect concentrations of process gases, by-product gases, and other gaseous compounds affecting the manufacturing process, and to determine when concentrations of clean or by-product gases fall below a predetermined threshold. The QLC detection system then sends an automated electronic signal to the semiconductor manufacturing control systems to automatically change gas flow and other process control settings, and to the clean gas mass flow controller to shut off the clean gas flow once the threshold concentration of the monitored compound within the chamber is reached, thereby allowing more rapid preparation of the chamber for the next processing cycle.
(FR) La présente invention concerne un processus de surveillance in situ, de régulation de processus et de détermination d'un état de point final d'un nettoyage de chambre pendant le processus de production de semi-conducteurs, qui fixe un laser à cascade quantique accordable (QCL) (20) sur la chambre de traitement (22) ou au niveau d'une conduite de refoulement primaire d'un outil de fabrication de semi-conducteurs pour détecter des concentrations de gaz de processus, de gaz de sous-produits, et d'autres composés gazeux affectant le processus de production, et pour déterminer quand les concentrations de gaz propres ou de sous-produits gazeux chutent en dessous d'un seuil prédéfini. Le système de détection à QLC envoie ensuite un signal électronique automatisé aux systèmes de régulation de production de semi-conducteurs pour changer automatiquement le débit de gaz et d'autres paramètres de régulation de processus, et au dispositif de régulation de débit massique de gaz propre pour arrêter le flux de gaz propre une fois que la concentration de seuil du composé surveillé à l'intérieur de la chambre est atteinte, ce qui permet une préparation plus rapide de la chambre pour le cycle de traitement suivant.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)