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1. (WO2018222920) BARRIÈRE DE DIFFUSION MULTIZONE CONTENANT DU TITANE, DU SILICIUM ET DE L'AZOTE
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N° de publication : WO/2018/222920 N° de la demande internationale : PCT/US2018/035470
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 31.05.2018
CIB :
H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants :
EUGENUS, INC. [US/US]; 677 River Oaks Pkwy San Jose, California 95134, US
Inventeurs :
VATS, Vinayek Veer; US
KARIM, M. Ziaul; US
CHOI, Bo Seon; US
RATHI, Somilkumar J.; US
MUKHERJEE, Niloy; US
Mandataire :
ALTMAN, Daniel E.; US
Données relatives à la priorité :
15/612,85302.06.2017US
Titre (EN) MULTI-REGION DIFFUSION BARRIER CONTAINING TITANIUM, SILICON AND NITROGEN
(FR) BARRIÈRE DE DIFFUSION MULTIZONE CONTENANT DU TITANE, DU SILICIUM ET DE L'AZOTE
Abrégé :
(EN) The disclosed technology generally relates to semiconductor structures and their fabrication, and more particularly to diffusion barrier structures containing Ti, Si, N and methods of forming same. A method of forming an electrically conductive diffusion barrier comprises providing a substrate in a reaction chamber and forming a titanium silicide (TiSi) region on the substrate by alternatingly exposing the substrate to a titanium-containing precursor and a first silicon-containing precursor. The method additionally comprises forming a titanium silicon nitride (TiSiN) region on the TiSi region by alternatingly exposing the substrate to a titanium-containing precursor, a nitrogen-containing precursor and a second silicon-containing precursor. The method can optionally include, prior to forming the TiSi region, forming a titanium nitride (TiN) region by alternatingly exposing the substrate to a titanium-containing precursor and a nitrogen-containing precursor.
(FR) La présente invention porte sur une technologie qui, de manière générale, se rapporte à des structures semi-conductrices et à leur fabrication, et, plus particulièrement, à des structures barrières de diffusion contenant du titane (Ti), du silicium (Si), de l'azote (N) et à leurs procédés de formation. Un procédé de formation d'une barrière de diffusion électroconductrice consiste à fournir un substrat dans une chambre de réaction et à former une région de siliciure de titane (TiSi) sur le substrat en exposant alternativement le substrat à un précurseur contenant du titane et à un premier précurseur contenant du silicium. Le procédé consiste en outre à former une région de nitrure de silicium de titane (TiSiN) sur la région TiSi en exposant alternativement le substrat à un précurseur contenant du titane, à un précurseur contenant de l'azote et à un second précurseur contenant du silicium. Le procédé peut éventuellement consister, avant la formation de la région TiSi, à former une région de nitrure de titane (TiN) en exposant alternativement le substrat à un précurseur contenant du titane et à un précurseur contenant de l'azote.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)