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1. (WO2018222915) FORMATION DE MOTIF BIDIMENSIONNEL DE COUCHE DE CIRCUIT INTÉGRÉ PAR IMPLANTATION IONIQUE INCLINÉE

Pub. No.:    WO/2018/222915    International Application No.:    PCT/US2018/035461
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 01 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/027
H01L 21/265
H01L 21/033
H01L 21/02
G03F 7/20
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Inventors: LIU, Tsu-Jae King
DING, Fei
WU, Yi-Ting
Title: FORMATION DE MOTIF BIDIMENSIONNEL DE COUCHE DE CIRCUIT INTÉGRÉ PAR IMPLANTATION IONIQUE INCLINÉE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de production d'un micro-dispositif ou d'un nano-dispositif ayant au moins une couche avec un motif bidimensionnel sous-lithographique. Le procédé consiste à : fournir un substrat comprenant une sous-structure et une couche de masque dur formée sur la sous-structure; réaliser une pluralité de procédés de photolithographie séquentielle et d'implantation ionique inclinée pour produire un motif de régions à implantation ionique dans la couche de masque dur; graver sélectivement au moins une des régions à implantation ionique dans la couche de masque dur pour exposer la sous-structure afin de produire un motif bidimensionnel dans la couche de masque dur; et graver sélectivement la sous-structure du substrat dans des régions exposées pour transférer le motif bidimensionnel dans la couche de masque dur à la sous-structure du substrat de façon à produire une structure bidimensionnelle sous-lithographique à l'intérieur de celle-ci.