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1. (WO2018222582) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE-MAGNÉTORÉSISTIVE HYBRIDE

Pub. No.:    WO/2018/222582    International Application No.:    PCT/US2018/034865
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 30 01:59:59 CEST 2018
IPC: G11C 14/00
Applicants: UNIVERSITY OF ROCHESTER
KAZEMI, Mohammad
Inventors: KAZEMI, Mohammad
Title: CELLULE DE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE-MAGNÉTORÉSISTIVE HYBRIDE
Abstract:
L'invention concerne une cellule de mémoire vive dynamique magnétorésistive (MDRAM). Une cellule de mémoire hybride comprend un premier transistor comportant une première électrode de source/drain couplée à un nœud de stockage de charge et à une grille d'un second transistor. Une première électrode de source/drain de premier transistor est couplée à une ligne de bits dynamique, et une grille du premier transistor est couplée à une ligne de mots de bit dynamique. Un élément de mémoire résistif est couplé entre une ligne de sélection et la première électrode de source/drain de transistor. Un troisième transistor comprend une troisième électrode de source/drain de troisième transistor qui est couplée à une seconde électrode de source/drain du second transistor. Une troisième électrode de source/drain de troisième transistor est couplée à une ligne de bits non volatile. Une grille du troisième transistor est couplée à une ligne de mots binaires non volatile. L'invention concerne également un réseau de mémoire de cellules de mémoire hybrides et un procédé de cellule de mémoire hybride.