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1. (WO2018222443) PROCÉDÉS DE SÉPARATION DE LIGNES DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS NON-ET 3D

Pub. No.:    WO/2018/222443    International Application No.:    PCT/US2018/033893
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 23 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/11556
H01L 27/11524
H01L 27/11529
H01L 27/11582
H01L 27/1157
H01L 27/11573
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: CHEN, Yihong
DUAN, Ziqing
MALLICK, Abhijit Basu
CHAN, Kelvin
Title: PROCÉDÉS DE SÉPARATION DE LIGNES DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS NON-ET 3D
Abstract:
L'invention concerne des procédés de séparation de lignes de mots dans des dispositifs semiconducteurs (par exemple des NAND 3D). Un film métallique est déposé dans les lignes de mots et sur la surface d'un empilement de couches d'oxyde espacées. Le film métallique est retiré par oxydation à haute température et gravure de l'oxyde ou gravure de la couche atomique à basse température par oxydation de la surface et gravure de l'oxyde d'une manière monocouche. Après élimination de la surcharge métallique, les lignes de mots sont remplies avec le film métallique.