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1. (WO2018222381) GRAVURE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE POREUSE

Pub. No.:    WO/2018/222381    International Application No.:    PCT/US2018/032584
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue May 15 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/027
H01L 21/311
H01L 21/3213
H01L 21/02
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION
Inventors: HUDSON, Eric
DESHMUKH, Shashank
LI, Sonny
WANG, Chia-Chun
GOPALADASU, Prabhakara
OUYANG, Zihao
Title: GRAVURE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE POREUSE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de gravure de caractéristiques dans une couche de gravure diélectrique à faible constante diélectrique poreuse. Une pluralité de cycles sont effectués dans une chambre de traitement au plasma. Chaque cycle comprend une phase de dépôt et une phase d'activation. La phase de dépôt comprend l'écoulement d'un gaz de dépôt comprenant un fluorocarbone et/ou un gaz hydrofluorocarbone, la création d'un plasma dans la chambre de traitement au plasma à l'aide du gaz de dépôt, le dépôt d'une couche contenant un fluorocarbone ou un hydrofluorocarbone, et l'arrêt de l'écoulement du gaz de dépôt. La phase d'activation comprend l'écoulement d'un gaz d'activation comprenant un gaz noble et un additif de gravure au carbone, la création d'un plasma dans la chambre de traitement au plasma à l'aide du gaz d'activation, la fourniture d'une polarisation d'activation dans la chambre de traitement au plasma, la polarisation d'activation provoquant la gravure de la couche diélectrique à faible constante diélectrique, avec la consommation de la couche contenant du fluorocarbone ou de l'hydrofluorocarbone, et l'arrêt de l'écoulement du gaz d'activation.