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1. (WO2018222237) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE NON VOLATILE
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N° de publication : WO/2018/222237 N° de la demande internationale : PCT/US2018/021062
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 06.03.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
WICKLEIN, Sebastian J.M; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/609,59231.05.2017US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR THREE-DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE NON VOLATILE
Abrégé :
(EN) A method is provided that includes forming a word line above a substrate, forming a bit line above the substrate, forming a nonvolatile memory material between the word line and the bit line, and forming a memory cell including the nonvolatile memory material at an intersection of the bit line and the word line. The word line is disposed in a first direction, and includes a first word line portion and a second word line portion. The second word line portion of the word line includes a first conductive oxide material. The bit line is disposed in a second direction perpendicular to the first direction. The nonvolatile memory material includes a barrier oxide material layer and a second conductive oxide material layer, with the barrier oxide material layer disposed adjacent the second word line portion of the word line.
(FR) L'invention concerne un procédé qui consiste à former une ligne de mots au-dessus d'un substrat, former une ligne de bits au-dessus du substrat, former un materiau de memoire non volatile entre la ligne de mots et la ligne de bits et former une cellule de mémoire comprenant le matériau de mémoire non volatile au niveau d'une intersection de la ligne de bits et de la ligne de mots. La ligne de mots est disposée dans une première direction, et comprend une première partie de ligne de mots et une seconde partie de ligne de mots. La seconde partie de ligne de mots de la ligne de mots comprend un premier matériau d'oxyde conducteur. La ligne de bits est disposée dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction. Le matériau de mémoire non volatile comprend une couche barrière de matériau d'oxyde et une seconde couche de matériau d'oxyde conducteur, la couche barrière de matériau d'oxyde étant disposée adjacente à la seconde partie de ligne de mots de la ligne de mots.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)