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1. (WO2018222234) RÉGION DE CONNEXION ENTRE DES MATRICES DE MÉMOIRE ADJACENTES POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À RÉGIONS DE TERRASSE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/222234 N° de la demande internationale : PCT/US2018/019466
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 23.02.2018
CIB :
H01L 27/11575 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01) ,H01L 27/11548 (2017.01) ,H01L 27/11556 (2017.01)
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Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
OGAWA, Hiroyuki; US
KAI, James; US
Mandataire :
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMELL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jacqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SMITH, Jackson R.; US
SIMON, Phyllis; US
SULSKY, Martin; US
Données relatives à la priorité :
15/611,22001.06.2017US
Titre (EN) CONNECTION REGION BETWEEN ADJACENT MEMORY ARRAYS FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH TERRACE REGIONS AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) RÉGION DE CONNEXION ENTRE DES MATRICES DE MÉMOIRE ADJACENTES POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À RÉGIONS DE TERRASSE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A three-dimensional memory array device includes mid-plane terrace regions (TR1, TR2) between a pair of memory array regions (100). The electrically conductive layers of the three-dimensional memory array device continuously extend between the pair of memory array regions through a connection region (600), which is provided adjacent to the mid-plane terrace regions. Contact via structures (86) contacting the electrically conductive layers are provided in the mid-plane terrace regions, and through-memory-level via structures (20) that extend through the alternating stack and connected to underlying lower metal interconnect structures and semiconductor devices can be provided through the mid-plane terrace region and/or through the connection region. Upper metal interconnect structures can connect the contact via structures and the through-memory-level via structures.
(FR) L'invention concerne un dispositif de matrice de mémoire tridimensionnel comprenant des régions de terrasse de plan moyen (TR1, TR2) entre une paire de régions de matrice de mémoire (100). Les couches électroconductrices du dispositif de matrice de mémoire tridimensionnelle s'étendent en continu entre la paire de régions de matrice de mémoire au travers d'une région de connexion (600) qui est disposée de manière adjacente aux régions de terrasse de plan médian. Des structures de trou d'interconnexion de contact (86), qui sont en contact avec les couches électroconductrices, sont disposées dans les régions de terrasse en plan médian, et des structures de trou d'interconnexion traversant le niveau de la mémoire (20), qui s'étendent à travers l'empilement alterné et sont reliées à des structures d'interconnexion métalliques inférieures sous-jacentes et à des dispositifs semiconducteurs, peuvent être disposées à travers la région de terrasse de plan médian et/ou à travers la région de connexion. Des structures d'interconnexion métalliques supérieures peuvent connecter les structures de trou d'interconnexion de contact et les structures de trou d'interconnexion traversant le niveau de la mémoire.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)