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1. (WO2018221752) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À ONDES LONGUES TRIDIMENSIONNELLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/221752 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/005560
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 29.05.2017
CIB :
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
Déposants :
이석헌 LEE, Suk-Hun [KR/KR]; KR
김광희 KIM, Kwang-Hee [KR/KR]; KR
Inventeurs :
이석헌 LEE, Suk-Hun; KR
김광희 KIM, Kwang-Hee; KR
Mandataire :
특허법인 대아 DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 서울시 강남구 역삼로 123 한양빌딩 3층 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243, KR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL LONG-WAVELENGTH LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À ONDES LONGUES TRIDIMENSIONNELLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 3차원 장파장 발광다이오드 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) A three-dimensional long-wavelength light-emitting diode and a manufacturing method therefor are disclosed. According to an embodiment of the present invention, the three-dimensional long-wavelength light-emitting diode comprises: a substrate having a surface having a plurality of three-dimensional structures spaced apart from each other; and a first-conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second-conductive type semiconductor layer sequentially formed on the substrate. The active layer includes AlGaInP or AlGaAs and emits light having a wavelength of 600 nm or more. Specifically, the active layer maintains a surface shape of the substrate.
(FR) La présente invention porte sur une diode électroluminescente à ondes longues tridimensionnelle et son procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la diode électroluminescente à ondes longues tridimensionnelle comprend : un substrat ayant une surface ayant une pluralité de structures tridimensionnelles espacées les unes des autres; et une couche semi-conductrice de premier type de conductivité, une couche active et une couche semi-conductrice de second type de conductivité formées séquentiellement sur le substrat. La couche active comprend de l'AlGaInP ou de l'AlGaAs et émet de la lumière ayant une longueur d'onde d'au minimum 600 nm. En particulier, la couche active maintient une forme de surface du substrat.
(KO) 3차원 장파장 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 3차원 장파장 발광다이오드는 서로 이격된 복수의 3차원 구조물을 구비하는 표면을 구비하는 기판과, 그 위에 순차 형성되는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함한다. 상기 활성층은 AlGaInP 또는 AlGaAs를 포함하여 600nm 이상의 파장을 갖는 광을 방출한다. 특히, 상기 활성층은 상기 기판의 표면 형상을 유지한다.
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Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)