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1. (WO2018221675) BANDE POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/221675    International Application No.:    PCT/JP2018/021034
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 01 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/301
C09J 7/20
C09J 11/00
C09J 201/00
H01L 21/52
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
日立化成株式会社
Inventors: OHKUBO Keisuke
大久保 恵介
IWANAGA Yukihiro
岩永 有輝啓
YAMAZAKI Tomoharu
山崎 智陽
Title: BANDE POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne une bande pour traitement de semi-conducteur qui comprend une couche de substrat, une couche adhésive et une couche adhésive thermodurcissable, stratifiées dans cet ordre. Après avoir été soumis à un traitement de durcissement pendant 1 heure à 130 °C, le taux de rétrécissement de la couche adhésive est inférieur à 2 % et le module élastique de la couche adhésive dans un environnement chauffé est inférieur à 5 MPa. La bande pour traitement de semi-conducteur peut être utilisée en tant que bande de découpage en dés/connexion de puces, et peut également être utilisée en tant que bande pour ancrage temporaire pendant la production de dispositifs à semi-conducteurs, par exemple.