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1. (WO2018221499) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MONTAGE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/221499 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/020505
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 29.05.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
Inventeurs :
中村 智宣 NAKAMURA Tomonori; JP
前田 徹 MAEDA Toru; JP
高野 徹朗 TAKANO Tetsuo; JP
Mandataire :
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité :
2017-10561429.05.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MOUNTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MONTAGE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 実装装置および半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) This mounting device is for manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip 12 to a mounting body that is another semiconductor chip 12 or a substrate 30. The mounting device is provided with a stage 120 on which the substrate 30 is placed, a mounting head 124 that is able to move relative to the stage 120 and bonds the semiconductor chip 12 to the mounting body, and an irradiation unit 108 that emits electromagnetic waves that transmit through the stage and heat the substrate 30 from the lower side of the stage 120. The stage 120 has a first layer 122 formed on the upper surface side. In the first layer 122, the thermal resistance in the surface direction is greater than the thermal resistance in the thickness direction.
(FR) Ce dispositif de montage est destiné à la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur par liaison d'une puce semi-conductrice 12 à un corps de montage qui est une autre puce semi-conductrice 12 ou un substrat 30. Le dispositif de montage est pourvu d'un étage 120 sur lequel est placé le substrat 30, d'une tête de montage 124 qui peut se déplacer par rapport à l'étage 120 et lie la puce semi-conductrice 12 au corps de montage, et une unité d'irradiation 108 qui émet des ondes électromagnétiques qui se transmettent à travers l'étage et chauffent le substrat 30 à partir du côté inférieur de l'étage 120. L'étage 120 a une première couche 122 formée sur le côté de surface supérieure. Dans la première couche 122, la résistance thermique dans le sans de la surface est supérieure à la résistance thermique dans le sens de l'épaisseur.
(JA) 半導体チップ12を、基板30または他の半導体チップ12である被実装体にボンディングして半導体装置を製造する実装装置であって、前記基板30が載置されるステージ120と、前記ステージ120に対して相対移動が可能であり、前記半導体チップ12を前記被実装体にボンディングする実装ヘッド124と、前記ステージを透過するとともに、前記基板30を加熱する電磁波をステージ120の下側から照射する照射ユニット108と、を備え、前記ステージ120は、上面側に形成された第一層122を有し、第一層122は、面方向の熱抵抗が厚み方向の熱抵抗よりも大きい。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)