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1. (WO2018221443) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/221443 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/020309
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 28.05.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/34 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
7
Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques
28
Systèmes pour la génération automatique de signaux de mise au point
34
utilisant des zones différentes dans un plan pupillaire
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
白石 勝一郎 SHIRAISHI Shouichirou; JP
丸山 卓哉 MARUYAMA Takuya; JP
八木 慎一郎 YAGI Shinichiro; JP
島田 翔平 SHIMADA Shohei; JP
佐藤 信也 SATO Shinya; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10571529.05.2017JP
2018-09594918.05.2018JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
Abrégé :
(EN) The present invention pertains to a solid-state imaging device in which it is possible to improve the precision of phase difference detection while suppressing degradation of a captured image, and to an electronic device. Provided is a solid-state imaging device comprising a pixel array unit in which a plurality of pixels are arrayed in a two-dimensional form, the pixel array unit including pixels in which a plurality of photoelectric conversion elements are formed on a single on-chip lens. Some of an inter-pixel separation part and/or an inter-pixel shielding part formed between the pixels juts out in a protruding manner toward the center of the pixels, forming a protruding part. The present art can be applied, e.g., to a CMOS image sensor having pixels for phase difference detection.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, permettant d'améliorer la précision de détection de déphasage tout en supprimant la dégradation d'une image capturée, et un dispositif électronique. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une unité de matrice de pixels dans laquelle une pluralité de pixels sont disposés en matrice de façon bidimensionnelle, l'unité de matrice de pixels comprenant des pixels dans lesquels une pluralité d'éléments de conversion photoélectrique sont formés sur une seule lentille montée sur puce. Une partie d'une section de séparation inter-pixels et/ou d'une section de blindage inter-pixels formées entre les pixels dépassent d'une manière saillante en direction du centre des pixels, formant ainsi une partie saillante. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un capteur d'image CMOS comportant des pixels en vue d'une détection de déphasage.
(JA) 本技術は、撮像画像の劣化を抑制しつつ、位相差検出の精度の向上を図ることができるようにする固体撮像装置、及び電子機器に関する。 1つのオンチップレンズに対して複数の光電変換素子を形成した画素を含む複数の画素を2次元状に配列した画素アレイ部を備え、画素の間に形成される画素間分離部及び画素間遮光部の少なくとも一方は、その一部が、画素の中心に向けて突起状にせり出して、突起部を形成している固体撮像装置が提供される。本技術は、例えば、位相差検出用の画素を有するCMOSイメージセンサに適用することができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)