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1. (WO2018221372) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ÉLIMINATION DE COUCHE RÉSIDUELLE AINSI QUE MODULE D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/221372 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/019982
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 24.05.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
平野 高昭 HIRANO Takaaki; --
Mandataire :
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
Données relatives à la priorité :
2017-10764131.05.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING RESIDUAL LAYER, DEVICE FOR REMOVING RESIDUAL LAYER, AND DISPLAY MODULE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ÉLIMINATION DE COUCHE RÉSIDUELLE AINSI QUE MODULE D'AFFICHAGE
(JA) 残渣層除去方法、残渣層除去装置、及び表示モジュール
Abrégé :
(EN) Provided is a method for removing a residual layer 50L of an ACF 50 attached onto an array substrate 30 of a liquid crystal panel 11, which is to be used in a liquid crystal module 1, the method comprising: a placing step for placing a metal mesh 60 on the surface of the residual layer 50L; a heating step for heating the residual layer 50L to be softened; a crimping step for crimping the metal mesh 60, which is placed on the surface of the residual layer 50L in the placing step, to the residual layer 50L softened in the heating step such that at least part of the ACF 50 that constitutes the residual layer 50L is press-fitted into pores 60A of the metal mesh 60; and a separating step for separating the metal mesh 60, in which the ACF 50 is press-fitted into the pores 60A, from the array substrate 30.
(FR) L'invention concerne un procédé d'élimination d'une couche résiduelle 50L d'un ACF 50 fixé sur un substrat de réseau 30 d'un panneau à cristaux liquides 11, qui doit être utilisé dans un module de cristaux liquides 1, le procédé comprenant : une étape de placement consistant à placer un maillage métallique 60 sur la surface de la couche résiduelle 50L ; une étape de chauffe consistant à chauffer la couche résiduelle 50L à ramollir ; une étape de sertissage consistant à sertir le maillage métallique 60, qui a été placé sur la surface de la couche résiduelle 50L lors de l'étape de placement, à la couche résiduelle 50L ramollie à l'étape de chauffe de sorte qu'au moins une partie de l'ACF 50 qui constitue la couche résiduelle 50L soit ajustée par pression dans les pores 60A du maillage métallique 60 ; et une étape de séparation consistant à séparer le maillage métallique 60, lors de laquelle l'ACF 50 est ajusté par pression dans les pores 60A, à partir du substrat de réseau 30.
(JA) 液晶モジュール1に用いられる液晶パネル11のアレイ基板30に付着したACF50の残渣層50Lを、残渣層50Lの表面に金属メッシュ60を配置する配置工程と、残渣層50Lを加熱して軟化させる加熱工程と、配置工程によって残渣層50Lの表面に配置された金属メッシュ60を、加熱工程によって軟化した残渣層50Lに圧着して、残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部を金属メッシュ60の開孔60A内に圧入させる圧着工程と、ACF50が開孔60A内に圧入された金属メッシュ60をアレイ基板30から剥離する剥離工程と、を含む除去方法によって除去する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)