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1. (WO2018221294) SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/221294    International Application No.:    PCT/JP2018/019489
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue May 22 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/336
H01L 21/8234
H01L 27/088
H01L 29/786
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: MATSUKIZONO Hiroshi
松木薗 広志
Title: SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Un substrat matriciel actif selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : un substrat, une pluralité de premiers TFT supportés par le substrat et disposés dans une région de non-affichage, et un circuit périphérique contenant la pluralité de premiers TFT. Chacun des premiers TFT comprend : une première électrode de grille disposée sur le substrat; une première couche d'isolation de grille recouvrant la première électrode de grille; une première couche semi-conductrice d'oxyde faisant face à la première électrode de grille avec la première couche d'isolation de grille entre celles-ci; et une première électrode de source et une première électrode de drain qui sont respectivement connectées à une région de contact de source et à une région de contact de drain de la première couche semi-conductrice d'oxyde. Chacun des premiers TFT a une structure de contact inférieure. L'épaisseur d'une première région de la première couche d'isolation de grille est inférieure à l'épaisseur d'une seconde région de la première couche d'isolation de grille, ladite première région chevauchant une région de canal, et ladite seconde région chevauchant la région de contact de source et la région de contact de drain.