Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018221290) DISPOSITIF DE FORMATION DE COUCHE DE GETTER, PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE DE GETTER ET SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/221290 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/019481
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 21.05.2018
CIB :
H01L 21/322 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
322
pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
福岡 哲夫 FUKUOKA, Tetsuo; JP
Mandataire :
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10958801.06.2017JP
Titre (EN) GETTERING LAYER FORMING DEVICE, GETTERING LAYER FORMING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE COUCHE DE GETTER, PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE DE GETTER ET SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE
(JA) ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体
Abrégé :
(EN) A gettering layer forming device for forming a gettering layer on a substrate has: a substrate holding part that holds the substrate; a lapping film that contacts the substrate held in the substrate holding part and polishes said substrate; a base that supports the lapping film, and is capable of moving in the vertical direction and rotating; and a water supply unit that supplies water to the substrate held in the substrate holding part.
(FR) L'invention concerne un dispositif de formation de couche de getter pour former une couche de getter sur un substrat comprenant : une partie de maintien de substrat qui maintient le substrat; un film de rodage qui entre en contact avec le substrat maintenu dans la partie de maintien de substrat et polit ledit substrat; une base qui supporte le film de rodage, et qui est capable de se déplacer dans la direction verticale et de tourner; et une unité d'alimentation en eau qui fournit de l'eau au substrat maintenu dans la partie de maintien de substrat.
(JA) 基板にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成装置は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に当接して当該基板を研磨するラッピングフィルムと、前記ラッピングフィルムを支持し、鉛直方向に移動自在且つ回転自在な基台と、前記基板保持部に保持された基板に水を供給する水供給部と、を有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)