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1. (WO2018221149) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/221149 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/018023
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 01.05.2018
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/427 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
42
Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
427
Refroidissement par changement d'état, p.ex. caloducs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
Déposants :
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V. [NL/NL]; Capronilaan 46, 1119 NS Schiphol Rijk, NL (JP)
Inventeurs :
MRAD, Roberto; FR
MOLLOV, Stefan; FR
Mandataire :
SOGA, Michiharu; S. SOGA & CO., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
KAJINAMI, Jun; S. SOGA & CO. 8th Floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
UEDA, Shunichi; S. SOGA & CO. 8th Floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
17173262.129.05.2017EP
Titre (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) The present invention concerns a power module composed of a first and second parts (100a, 100b), the first part being composed of conductor layers and insulation layers, characterized in that a first conductor layer is on bottom of the first part, the second part is composed of at least one second conductor layer, the first and/or the second conductor layers comprise cavities that form pipes (300a, 300b) when the first and second conductor layers are in contact, and in that the first and the second conductor layers are bonded together by a metal plating (400a, 400g) of the walls of the pipes.
(FR) La présente invention concerne un module de puissance composé d'une première et d'une seconde partie (100a, 100b), la première partie étant composée de couches conductrices et de couches d'isolation, caractérisé en ce qu'une première couche conductrice est au fond de la première partie, la seconde partie est composée d'au moins une seconde couche conductrice, les première et/ou seconde couches conductrices comprennent des cavités qui forment des tuyaux (300a, 300b) lorsque les première et seconde couches conductrices sont en contact, et en ce que les première et seconde couches conductrices sont liées ensemble par un placage métallique (400a, 400g) des parois des tuyaux.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)