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1. (WO2018221114) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2018/221114    International Application No.:    PCT/JP2018/017405
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 02 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 45/00
H01L 49/00
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: SUMINO, Jun
角野 潤
TAZAKI, Masayuki
田崎 雅幸
FUKATA, Hideyuki
深田 英幸
Title: DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abstract:
Un dispositif de mémoire selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un circuit logique dans lequel une pluralité de couches de câblage comprenant des couches qui ont des pas de câblage différents sont stratifiées, et un élément de mémoire disposé entre la pluralité de couches de câblage.