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1. (WO2018221054) STRATIFIÉ CRISTALLIN, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/221054    International Application No.:    PCT/JP2018/016093
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 20 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/265
C23C 16/34
C30B 29/38
C30B 31/22
H01L 21/20
H01L 21/205
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
住友化学株式会社
SCIOCS COMPANY LIMITED
株式会社サイオクス
HOSEI UNIVERSITY
学校法人法政大学
Inventors: HORIKIRI Fumimasa
堀切 文正
YOSHIDA Takehiro
吉田 丈洋
MISHIMA Tomoyoshi
三島 友義
Title: STRATIFIÉ CRISTALLIN, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un stratifié cristallin comprenant : un substrat cristallin qui comprend un monocristal d'un nitrure de groupe III indiqué par la formule de composition InxAlyGa1–x–yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, et 0 ≤ x + y ≤ 1), ledit substrat cristallin contenant une impureté de type n qui est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Si, Ge et O ; et une couche cristalline comprenant un cristal d'un nitrure de groupe III développé de façon épitaxiale sur la surface principale du substrat cristallin, ladite couche cristalline ayant au moins une impureté de type p choisie dans le groupe constitué par C, Mg, Fe, Be, Zn, V et Sb à implantation ionique en son sein. Le stratifié cristallin est configuré de telle sorte que le coefficient d'absorption du substrat cristallin lorsqu'une lumière ayant une longueur d'onde de 2 000 nm est irradiée sur celui-ci tombe dans la plage de 1,8 à 4,6 cm–1 dans des conditions de température ambiante.