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1. (WO2018221032) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/221032 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/015330
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 12.04.2018
CIB :
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
株式会社 日立パワーデバイス HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. [JP/JP]; 茨城県日立市大みか町五丁目2番2号 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221, JP
Inventeurs :
三好 智之 MIYOSHI Tomoyuki; JP
森 睦宏 MORI Mutsuhiro; JP
竹内 悠次郎 TAKEUCHI Yujiro; JP
古川 智康 FURUKAWA Tomoyasu; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10557529.05.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides: an IGBT that achieves both low conduction loss and low switching loss; and a power conversion device to which the IGBT is applied. The present invention is characterized by being provided with: a semiconductor substrate; a semiconductor layer of a first conductivity type; a well region of a second conductivity type; a first gate electrode and a second gate electrode which are in contact with the semiconductor layer and the well region through a gate insulating film and are formed adjacent to each other with the well region interposed therebetween; an emitter region of the first conductivity type; a feed region of the second conductivity type; an emitter electrode; a collector layer of the second conductivity type; and a collector electrode, wherein an interval between the first gate electrode and the second gate electrode is narrower than a distance to another gate electrodes adjacent thereto, the first gate electrode and the second gate electrode each is electrically connected to either of a switching gate wiring or a carrier control gate wiring, and the number of gate electrodes connected to the carrier control gate wiring is greater than the number of gate electrodes connected to the switching gate wiring.
(FR) La présente invention concerne : un IGBT qui permet à la fois une faible perte de conduction et une faible perte de commutation ; et un dispositif de conversion de puissance auquel est appliqué l'IGBT. La présente invention est caractérisée en ce qu'elle fait appel à : un substrat semi-conducteur ; une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité ; une région de puits d'un second type de conductivité ; une première électrode grille et une seconde électrode grille qui sont en contact avec la couche semi-conductrice et avec la région de puits par l'intermédiaire d'un film d'isolation de grille et qui sont formées adjacentes l'une à l'autre, la région de puits étant interposée entre elles ; une région d'émetteur du premier type de conductivité ; une région d'alimentation du second type de conductivité ; une électrode d'émetteur ; une couche de collecteur du second type de conductivité ; et une électrode de collecteur, un intervalle entre la première électrode grille et la seconde électrode grille étant plus étroit qu'une distance par rapport à d'autres électrodes grilles qui leur sont adjacentes, la première électrode grille et la seconde électrode grille sont chacune électriquement connectées à l'un ou l'autre d'un câblage de grille de commutation ou d'un câblage de grille de commande de porteurs, et le nombre d'électrodes grilles connectées au câblage de grille de commande de porteurs est supérieur au nombre d'électrodes grilles connectées au câblage de grille de commutation.
(JA) 低導通損失と低スイッチング損失を両立するIGBT とそれを適用した電力変換装置を提供する。半導体基板と、第1導電型の半導体層と、第2導電型のウェル領域と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層および前記ウェル領域に接し、前記ウェル領域を挟んで互いに隣接して形成された第1ゲート電極および第2ゲート電極と、第1導電型のエミッタ領域と、第2導電型の給電領域と、エミッタ電極と、第2導電型のコレクタ層と、コレクタ電極と、を備え、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の間隔は、各々に隣接する他のゲート電極との間隔よりも狭く、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の各々は、スイッチングゲート配線またはキャリア制御ゲート配線のいずれか一方と電気的に接続され、前記キャリア制御ゲート配線に接続されるゲート電極の数が前記スイッチングゲート配線に接続されるゲート電極の数よりも多いことを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)