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1. (WO2018220934) COMPOSITION DE RÉSINE ÉPOXY, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/220934 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/009082
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 08.03.2018
CIB :
C08G 59/00 (2006.01) ,C08L 63/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 31/02 (2006.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59
Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
63
Compositions contenant des résines époxy; Compositions contenant des dérivés des résines époxy
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
56
Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
Déposants :
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventeurs :
岡本 正法 OKAMOTO Massanori; JP
Mandataire :
特許業務法人サクラ国際特許事務所 SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; 東京都千代田区内神田一丁目18番14号 ヨシザワビル Yoshizawa Bldg., 18-14, Uchikanda 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010047, JP
Données relatives à la priorité :
2017-10559629.05.2017JP
Titre (EN) EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE ÉPOXY, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エポキシ樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: an epoxy resin composition that has exceptional releaseability during continuous molding and exceptional soldering heat resistance (product adhesion), and that undergoes little discoloration when left at high temperatures; and a semiconductor device in which the epoxy resin composition is used. The epoxy resin composition contains as essential components, (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a curing promoter, (D) a phenolic antioxidant having a melting point of 150°C or less, (E) an antioxidant having a melting point of 150°C or less and a sulfur atom in the backbone thereof, and (F) a polyether group-containing compound. An optical semiconductor device 11 has a base 12, a semiconductor element 13 that is fixed to the base 12, and a sealing resin 14 in which the semiconductor element 13 is sealed and which is a cured object of a transparent epoxy resin composition.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine époxy qui a une aptitude au décollage exceptionnelle pendant un moulage continu et une résistance à la chaleur de brasage exceptionnelle (adhérence de produit), et qui subit une faible de décoloration lorsqu'elle est laissée à des températures élevées ; et un dispositif à semi-conducteur dans lequel la composition de résine époxy est utilisée. La composition de résine époxy contient en tant que composants essentiels, (A) une résine époxy, (B) un agent de durcissement, (C) un promoteur de durcissement, (D) un antioxydant phénolique ayant un point de fusion de 150 °C ou moins, (E) un antioxydant ayant un point de fusion de 150 °C ou moins et un atome de soufre dans son squelette, et (F) un composé contenant un groupe polyéther. Un dispositif à semi-conducteur optique (11) a une base (12), un élément semi-conducteur (13) qui est fixé à la base (12), et une résine d'étanchéité (14) dans laquelle l'élément semi-conducteur (13) est scellé et qui est un objet durci d'une composition de résine époxy transparente.
(JA) 連続成形時の離型性、はんだ耐熱性(製品密着性)に優れ、かつ高温放置での変色が少ないエポキシ樹脂組成物、そのエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を提供する。(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)硬化促進剤と、(D)融点が150℃以下のフェノール系酸化防止剤と、(E)融点が150℃以下の、硫黄原子を骨格中に有する酸化防止剤と、(F)ポリエーテル基含有化合物と、を必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物および基体12と、基体12上に固定された半導体素子13と、半導体素子13を封止した、透明エポキシ樹脂組成物の硬化物である封止樹脂14と、を有する光半導体装置11。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)