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1. (WO2018220931) DISPOSITIF D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/220931 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/008830
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 07.03.2018
CIB :
G01N 21/956 (2006.01) ,G01R 31/302 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956
Inspection de motifs sur la surface d'objets
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28
Essai de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
302
Essais sans contact
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
中村 共則 NAKAMURA Tomonori; JP
岩城 吉剛 IWAKI Yoshitaka; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10991802.06.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体検査装置
Abrégé :
(EN) An inspection system 1 is provided with: a light source 33; a mirror 40b; Galvano mirrors 44a, 44b; a housing 32 in which the mirror 40b and the Galvano mirrors 44a, 44b are held and which has a mounting part 46 for having an optical element mounted thereon; and a control unit 21a which controls the deflection angles of the Galvano mirrors 44a, 44b, wherein the control unit 21a controls the deflection angles such that the optical path to be optically connected to a semiconductor device D is switched to either a first optical path L1 passing through the Galvano mirrors 44a, 44b and the mirror 40b or a second optical path L2 passing through the Galvano mirrors 44a, 44b and the mounting part 46, and that the deflection angle set by switching to the first optical path L1 and the deflection angle set by switching to the second optical path L2 do not overlap each other.
(FR) L'invention concerne un système d'inspection 1 qui est pourvu : d'une source de lumière 33 ; d'un miroir 40b ; de miroirs galvano 44a, 44b ; d'un boîtier 32 dans lequel le miroir 40b et les miroirs galvano 44a, 44b sont maintenus et qui a une partie de montage 46 sur laquelle un élément optique est monté ; et d'une unité de commande 21a qui commande les angles de déviation des miroirs galvano 44a, 44b, l'unité de commande 21a commandant les angles de déviation de telle sorte que le chemin optique à connecter optiquement à un dispositif à semi-conducteur D soit commuté soit vers un premier chemin optique L1 passant à travers les miroirs galvano 44a, 44b et le miroir 40b soit vers un second chemin optique L2 passant à travers les miroirs galvano 44a, 44b et la partie de montage 46, et que l'angle de déviation réglé par commutation vers le premier chemin optique L1 et l'angle de déviation réglé par commutation vers le second chemin optique L2 ne se chevauchent pas.
(JA) 検査システム1は、光源33と、ミラー40bと、ガルバノミラー44a,44bと、ミラー40bとガルバノミラー44a,44bを内部に保持し、光学素子を取り付けるための取付部46を有する筐体32と、ガルバノミラー44a,44bの振れ角を制御する制御部21aと、を備え、制御部21aは、半導体デバイスDと光学的に接続される光路を、ガルバノミラー44a,44b及びミラー40bを通る第1光路L1と、ガルバノミラー44a,44b及び取付部46を通る第2光路L2との間で切り替えるように振れ角を制御し、かつ、第1光路L1に切り替えた際の振れ角と第2光路L2に切り替えた際の振れ角とが重複しないように、振れ角を制御する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)