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1. (WO2018220920) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/220920    International Application No.:    PCT/JP2018/007326
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 27/146
H01L 21/266
H04N 5/365
H04N 5/374
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: KONISHI, Takefumi
小西 武文
Title: DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne une technologie qui permet de supprimer des charges de bruit. Selon la présente invention, chaque pixel unitaire (10) comprend : une unité photodiode (130) ; une première unité de transfert de charge (103A) ; une unité de maintien de charge (131) ; une seconde unité de transfert de charge (103B) ; et une unité de décharge de charge (180). Des surfaces de substrat semi-conducteur de l'unité photodiode (130), de la première unité de transfert de charge (103A), de l'unité de maintien de charge (131), de la seconde unité de transfert de charge (103B) et de l'unité de décharge de charge (180) sont toutes recouvertes d'une région semi-conductrice d'un second type de conductivité.