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1. (WO2018220907) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
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N° de publication : WO/2018/220907 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005743
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
Déposants :
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventeurs :
須田 具和 SUDA, Tomokazu; JP
高橋 明久 TAKAHASHI, Hirohisa; JP
織井 雄一 ORII, Yuichi; JP
箱守 宗人 HAKOMORI, Muneto; JP
Mandataire :
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10835431.05.2017JP
Titre (EN) FILM-FORMATION DEVICE AND FILM-FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To stabilize water vapor partial pressure and further stabilize the film quality of a transparent conductive film. [Solution] A film formation device comprises a first vacuum chamber, a gas supply source, a film formation source, and a control device. In the first vacuum chamber, a reduced pressure state is maintained and a carrier for holding a substrate can be transported in and out. The gas supply source is capable of supplying a water vapor gas to the first chamber. The film formation source is disposed in the first vacuum chamber and is capable of generating a material of a transparent conductive film formed on the substrate. When the transparent conductive film is to be formed on the substrate, the control device controls the range of the water vapor partial pressure of the first vacuum chamber between a first partial pressure or higher and a second partial pressure or lower, which is higher than the first partial pressure.
(FR) [Problème] Stabiliser la pression partielle de vapeur d’eau et stabiliser en outre la qualité de film d’un film conducteur transparent. [Solution] La présente invention concerne un dispositif de formation de film qui comprend une première chambre à vide, une source d’alimentation en gaz, une source de formation de film, et un dispositif de commande. Dans la première chambre à vide, un état de pression réduite est maintenu et un support pour maintenir un substrat peut être transporté à l’intérieur et à l’extérieur. La source d’alimentation en gaz peut alimenter un gaz de vapeur d’eau dans la première chambre. La source de formation de film est disposée dans la première chambre à vide et peut générer un matériau d’un film conducteur transparent formé sur le substrat. Lorsque le film conducteur transparent doit être formé sur le substrat, le dispositif de commande commande la plage de la pression partielle de vapeur d’eau de la première chambre à vide entre une première pression partielle ou plus et une deuxième pression partielle ou moins, qui est supérieure à la première pression partielle.
(JA) 【課題】水蒸気分圧を安定させ、透明導電膜の膜質をより安定させる。 【解決手段】成膜装置は、第1真空室と、ガス供給源と、成膜源と、制御装置とを具備する。上記第1真空室においては、減圧状態が維持され、基板を保持するキャリアの搬入出が可能になっている。上記ガス供給源は、上記第1真空室に、水蒸気ガスを供給することができる。上記成膜源は、上記第1真空室に配置され、上記基板に形成される透明導電膜の材料を発生させることができる。上記制御装置は、上記透明導電膜が上記基板に形成される際に、上記第1真空室の水蒸気分圧を第1分圧以上で上記第1分圧よりも高い第2分圧以下の範囲に制御する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)