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1. (WO2018220879) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/220879 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/038825
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 26.10.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
Déposants :
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
内藤 達也 NAITO Tatsuya; JP
Mandataire :
龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM; 東京都新宿区西新宿1-6-1 新宿エルタワー22階 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Données relatives à la priorité :
2017-10770231.05.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a drift region of a first conductivity type, a first trench section provided from the upper surface of the semiconductor substrate to the interior of the semiconductor substrate, a base region of a second conductivity type provided between the drift region and the upper surface of the semiconductor substrate and adjacent to the first trench section, a first accumulation region of the first conductivity type provided between the drift region and the base region and having a higher doping concentration than that of the drift region, a second accumulation region of the first conductivity type provided at a deeper position than the first accumulation region and having a higher doping concentration than that of the drift region, and an intermediate region of the second conductivity type provided between the first accumulation region and the second accumulation region, wherein the second accumulation region has a first open section provided at a deeper position than the first accumulation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur ayant une région de dérive d'un premier type de conductivité, une première section de tranchée disposée à partir de la surface supérieure du substrat semi-conducteur vers l'intérieur du substrat semi-conducteur, une région de base d'un second type de conductivité disposée entre la région de dérive et la surface supérieure du substrat semi-conducteur et adjacente à la première section de tranchée, une première région d'accumulation du premier type de conductivité disposée entre la région de dérive et la région de base et ayant une concentration de dopage supérieure à celle de la région de dérive, une seconde région d'accumulation du premier type de conductivité disposée à une position plus profonde que la première région d'accumulation et ayant une concentration de dopage supérieure à celle de la région de dérive, et une région intermédiaire du second type de conductivité disposée entre la première région d'accumulation et la seconde région d'accumulation, la seconde région d'accumulation ayant une première section ouverte disposée à une position plus profonde que la première région d'accumulation.
(JA) 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、半導体基板の上面から半導体基板の内部まで設けられた第1のトレンチ部と、半導体基板の上面とドリフト領域との間において第1のトレンチ部と隣接して設けられた第2導電型のベース領域と、ベース領域とドリフト領域との間に設けられ、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第1の蓄積領域と、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第2の蓄積領域と、第1の蓄積領域と第2の蓄積領域との間に設けられた第2導電型の中間領域とを備え、第2の蓄積領域は、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた第1の開口部を有する半導体装置を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)