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1. (WO2018220846) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/220846 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/020686
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 02.06.2017
CIB :
G11C 5/04 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
02
Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
04
Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16
les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP/JP]; 東京都八王子市旭町11-8 アクセスビル3階 Access Bldg. 3F, 11-8, Asahi-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920083, JP
Inventeurs :
瀧下 隆治 TAKISHITA, Ryuji; JP
安達 隆郎 ADACHI, Takao; JP
Mandataire :
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; JP
林 一好 HAYASHI, Kazuyoshi; JP
崎間 伸洋 SAKIMA, Nobuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
Abrégé :
(EN) The present invention provides a semiconductor module capable of improving a bandwidth between a logic chip and a RAM. According to the present invention, a semiconductor module 1 is provided with: a logic chip; a pair of RAM units 30 each composed of a lamination-type RAM module; a first interposer 10 electrically connected to the logic chip and to each of the pair of RAM units 30; and a connection unit 40 that communicatively connects the logic chip and each of the pair of RAM units 30, wherein one RAM unit 30a is placed on the first interposer 10, and has one end portion disposed so as to overlap, in the lamination direction C, one end portion of the logic chip with the connection unit 40 therebetween, and the other RAM unit 30b is disposed so as to overlap the one RAM unit 30a with the connection unit 40 therebetween, and is also disposed along the outer periphery of the logic chip.
(FR) La présente invention concerne un module semi-conducteur capable d'améliorer une largeur de bande entre une puce logique et une mémoire vive. Selon la présente invention, un module semi-conducteur (1) est pourvu : d'une puce logique ; d'une paire d'unités à RAM (30) chacune composée d'un module à RAM de type stratifié ; d'un premier interposeur (10) relié électriquement à la puce logique et à chacune de la paire d'unités à RAM (30) ; et d'une unité de liaison (40) qui relie de manière communicative la puce logique et chaque unité de la paire d'unités à RAM (30), une unité à RAM (30a) étant placée sur le premier interposeur (10), et comporte une partie d'extrémité disposée de manière à chevaucher, dans la direction de stratification C, une partie d'extrémité de la puce logique avec l'unité de liaison (40) entre elles, et l'autre unité ) RAM (30b) est disposée de manière à chevaucher l'unité à RAM (30a) avec l'unité de liaison (40) entre elles, et est également disposée le long de la périphérie extérieure de la puce logique.
(JA) 論理チップ及びRAM間のバンド幅(帯域幅)を向上することが可能な半導体モジュールを提供すること。 半導体モジュール1は、論理チップと、それぞれが積層型RAMモジュールから構成される一対のRAM部30と、論理チップ及び一対のRAM部30のそれぞれに電気的に接続される第1インタポーザ10と、論理チップと一対のRAM部30のそれぞれとの間を通信可能に接続する接続部40と、を備え、一方のRAM部30aは、第1インタポーザ10に載置されるとともに、一端部が接続部40を介して論理チップの一端部と積層方向Cで重なって配置され、他方のRAM部30bは、接続部40を介して一方のRAM部30aに重ね合わされるとともに、論理チップの外周に沿って配置される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)