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1. (WO2018220741) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/220741    International Application No.:    PCT/JP2017/020240
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jun 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NANJO Takuma
南條 拓真
HAYASHIDA Tetsuro
林田 哲郎
YOSHITSUGU Koji
吉嗣 晃治
FURUKAWA Akihiko
古川 彰彦
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne une technique permettant d'obtenir un courant de drain suffisamment grand dans un transistor de type à effet de champ en utilisant un semi-conducteur au nitrure. L'invention comprend : formation sur la surface supérieure d'un substrat en semi-conducteur (1) d'une couche de canal (3), qui est de l'Alx1Iny1Ga1-x1-y1N ; formation sur la surface supérieure de la couche de canal (3) d'une couche barrière (4), qui est de l'Alx2Iny2Ga1-x2-y2N, laquelle possède une bande interdite plus grande que la bande interdite de la couche de canal (3) ; formation sur au moins une portion de la surface supérieure de la couche barrière (4) d'un film d'isolation de gâchette (9), qui est un isolant ou un semi-conducteur, lequel possède une bande interdite plus grande que celle de la couche barrière (4) ; formation sur la surface supérieure du film d'isolation de gâchette (9) d'une électrode de gâchette (10) ; et réalisation d'un traitement thermique tout en appliquant une tension positive à l'électrode de gâchette (10).