Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018220062) DIODE LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE DIODE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/220062 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/064274
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 30.05.2018
CIB :
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/028 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
18
Lasers à émission de surface (lasers SE)
183
ayant une cavité verticale (lasers VCSE)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
028
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
SINGER, Frank; DE
HALBRITTER, Hubert; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 112 235.402.06.2017DE
Titre (EN) LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A LASER DIODE
(FR) DIODE LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE DIODE LASER
(DE) LASERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a laser diode (1) comprising - a surface-emitting semiconductor laser (10) which is designed to emit electromagnetic radiation (E), and - an optical element (20) which is arranged downstream of the semiconductor laser (10) in an emission direction (L), wherein - the optical element (20) has a diffractive structure (200) or a meta-optical structure (200) or a lens structure (200), and - the optical element (20) and the semiconductor laser (10) are integrally connected to one another.
(FR) L’invention concerne une diode laser (1) comprenant : - un laser à semi-conducteur à émission de surface (10) adapté pour émettre un rayonnement électromagnétique (E), et - un élément optique (20) disposé en aval du laser à semi-conducteur (10) dans une direction de rayonnement (L), - l’élément optique (20) comportant une structure de diffraction (200) ou une structure méta-optique (200) ou une structure de lentille (200), et - l’élément optique (20) et le laser à semi-conducteur (10) étant reliés par liaison de matière.
(DE) Laserdiode (1) umfassend - einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (10), welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung (E) zu emittieren, und - ein optisches Element (20), welches dem Halbleiterlaser (10) in einer Abstrahlrichtung (L) nachgeordnet ist, wobei - das optische Element (20) eine diffraktive Struktur (200) oder eine Meta-Optik-Struktur (200) oder eine Linsenstruktur (200) umfasst, und - das optische Element (20) und der Halbleiterlaser (10) stoffschlüssig miteinander verbunden sind.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)