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1. (WO2018219967) MODULE DE COMMUTATION ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/219967 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/064100
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 29.05.2018
CIB :
H01L 23/051 (2006.01) ,H01L 23/62 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
04
caractérisés par la forme
043
le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
051
une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62
Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
Déposants :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Inventeurs :
SCHWARZBAUER, Herbert; DE
STEGMEIER, Stefan; DE
SCHMITT, Daniel; DE
SCHREMMER, Frank; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 209 166.531.05.2017DE
Titre (EN) POWER ELECTRONICS SWITCHING MODULE
(FR) MODULE DE COMMUTATION ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
(DE) LEISTUNGSELEKTRONISCHES SCHALTMODUL
Abrégé :
(EN) The invention relates to a power electronics switching module comprising at least one power semiconductor to which a first switch contact makes or is capable of making an electrically conducting connection at a connection point of the power semiconductor and to which a second switch contact makes or is capable of making an electrically conducting connection, wherein a plasma pathway arrester is provided which is disposed and designed to conduct the plasma pathway forming in the event of a short circuit of the first and second switch contact at the connection point away from the power semiconductor.
(FR) L’invention concerne un module de commutation électronique de puissance comprenant au moins un semiconducteur de puissance, au niveau duquel un premier contact de commutation est relié ou peut être relié de manière électriquement conductrice à un point de connexion du semiconducteur de puissance et au niveau duquel un deuxième contact de commutation est relié ou peut être relié de manière électriquement conductrice. Un composant de décharge de chemin de plasma est présent, lequel est disposé et configuré pour propager depuis le semiconducteur de puissance le chemin de plasma qui se forme au niveau du point de connexion dans le cas d’un court-circuit du premier et du deuxième contact de commutation.
(DE) Das leistungselektronisches Schaltmodul umfasst mindestens einen Leistungshalbleiter, an welchem an einer Anbindungsstelle des Leistungshalbleiters ein erster Schaltkontakt elektrisch leitend angebunden oder anbindbar ist und an welchem ein zweiter Schaltkontakt elektrisch leitend angebunden oder anbindbar ist, wobei ein Plasmapfadableiter angeordnet ist, der angeordnet und ausgebildet ist, den sich bei einem Kurzschluss von ersten und zweitem Schaltkontakt an der Anbindungsstelle ausbildenden Plasmapfad vom Leistungshalbleiter fortzuleiten.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)