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1. (WO2018219753) TRIPHÉNYLGERMYLSILANE ET TRICHLOROSILYL-TRICHLOROGERMANE POUR LA PRODUCTION DE COUCHES DE GERMANIUM-SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CES DERNIÈRES À PARTIR DE TRICHLOROSILYL-TRIPHÉNYLGERMANE
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N° de publication : WO/2018/219753 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/063563
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 23.05.2018
CIB :
C01B 33/04 (2006.01) ,C01B 33/06 (2006.01) ,C01B 33/107 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
[IPC code unknown for C01B 33/04][IPC code unknown for C01B 33/06][IPC code unknown for C01B 33/107][IPC code unknown for H01L 21/205]
Déposants :
EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen, DE
Inventeurs :
TEICHMANN, Julian; DE
WAGNER, Matthias; DE
LERNER, Hans-Wolfram; DE
Données relatives à la priorité :
17173951.901.06.2017EP
Titre (EN) TRIPHENYLGERMYLSILANE AND TRICHLOROSILYL-TRICHLOROGERMANE FOR THE PRODUCTION OF GERMANIUM-SILICON LAYERS, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF FROM TRICHLORSILYL-TRIPHENYLGERMANE
(FR) TRIPHÉNYLGERMYLSILANE ET TRICHLOROSILYL-TRICHLOROGERMANE POUR LA PRODUCTION DE COUCHES DE GERMANIUM-SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CES DERNIÈRES À PARTIR DE TRICHLOROSILYL-TRIPHÉNYLGERMANE
(DE) TRIPHENYLGERMYLSILAN UND TRICHLORSILYL-TRICHLORGERMAN FÜR DIE ERZEUGUNG VON GERMANIUM-SILIZIUM-SCHICHTEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG AUS TRICHLORSILYL-TRIPHENYLGERMAN
Abrégé :
(EN) The invention relates to triphenylgermylsilane (Ph 3Ge-SiH 3) for the production of germanium-silicon layers (Ge-Si) or as a transfer agent of silane groups (SiH 3). The invention further relates to a method for the production of triphenylgermylsilane (Ph 3Ge-SiH 3) by reducing trichlorosilyl-triphenylgermane (Ph 3Ge-SiCl 3) with a hydride in solution, to a method for the production of trichlorosilyltrichlorogermane (Cl 3Ge- SiCl 3) by reacting trichlorosilyltriphenylgermane (Ph 3Ge- SiCl 3) with hydrogen chloride (HCl) in the presence of AlCl 3 in solution, and to the use of trichlorosilyltrichlorogermane for the production of germanium-silicon layers (Ge-Si).
(FR) L'invention concerne un triphénylgermylsilane (Ph 3Ge-SiH 3) pour la production de couches de germanium-silicium (Ge-Si) ou comme véhicule de groupes silane (SiH 3). L'invention porte sur un procédé de préparation de triphénylgermylsilane (Ph 3Ge-SiH 3) par réduction de trichlorosilyl-triphénylgermane (Ph 3Ge-SiCl 3) avec un hydrure en solution. L'invention porte également sur un procédé de production de trichlorosilyltrichlorogermane (Cl 3Ge- SiCI 3) par réaction de trichlorosilyltriphénylgermane (Ph 3Ge- SiCl 3) avec de l'acide chlorhydrique (HCl) en présence d'AlCl 3 en solution. L'invention porte également sur l'utilisation de trichlorosilyltrichlorogermane pour la production de couches de germanium-silicium (Ge-Si).
(DE) Triphenylgermylsilan (Ph 3Ge-SiH 3) für die Erzeugung von Germanium-Silizium-Schichten (Ge-Si) oder als Überträger von Silan-Gruppen (SiH 3). Verfahren zur Herstellung von Triphenylgermylsilan (Ph 3Ge-SiH 3) durch Reduktion von Trichlorsilyl-Triphenylgerman (Ph 3Ge-SiCI 3) mit einem Hydrid in Lösung. Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilyltrichlorgerman (Cl 3Ge- SiCI 3) durch Umsetzung von Trichlorsilyltriphenylgerman (Ph 3Ge- SiCI 3) mit Chlorwasserstoff (HCl) in Anwesenheit von AICI 3 in Lösung. Verwendung von Trichlorsilyltrichlorgerman für die Erzeugung von Germanium-Silizium-Schichten (Ge-Si).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)