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1. (WO2018219220) STRUCTURE DE SUBSTRAT DE CIRCUIT SEMI-INTÉGRÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/219220    International Application No.:    PCT/CN2018/088362
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat May 26 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 23/498
H01L 21/48
Applicants: NATIONAL CENTER FOR ADVANCED PACKAGING CO., LTD
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventors: YU, Zhongyao
于中尧
Title: STRUCTURE DE SUBSTRAT DE CIRCUIT SEMI-INTÉGRÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Un mode de réalisation de la présente invention concerne une structure de substrat de circuit semi-intégré, comprenant : un substrat semi-durci, et un circuit semi-intégré disposé dans le substrat semi-durci de manière semi-intégrée. Une première face du circuit semi-intégré est positionnée au-dessus de la surface du substrat semi-durci qui est situé sur le même côté du circuit, et une seconde face du circuit semi-intégré, opposée à la première face, est positionnée en dessous de la surface du substrat semi-durci qui est situé du même côté du circuit. Une partie d'une surface latérale du circuit semi-intégré est positionnée au-dessus de la surface du substrat semi-durci qui est situé sur le même côté du circuit, et l'autre partie de la surface latérale du circuit semi-intégré est enveloppée par le substrat semi-durci.