Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018219126) SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/219126 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/086568
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 11.05.2018
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥京东方光电科技有限公司 HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 铜陵北路2177号 No.2177 Tonglingbei Road Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
王迎 WANG, Ying; CN
李红敏 LI, Hongmin; CN
廖力勍 LIAO, Liqing; CN
孙丽 SUN, Li; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710393775.327.05.2017CN
Titre (EN) DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 一种显示基板及显示装置
Abrégé :
(EN) A display substrate and a display device. The display substrate comprises a signal line located in a display region of the display substrate, an electrostatic lead-out line in a frame region, and an electrostatic discharge unit comprising a first thin film transistor (T1), a second thin film transistor (T2), a third thin film transistor (T3) and a fourth thin film transistor (T4); a drain and a gate of the first thin film transistor (T1) are connected to the signal line (L1); a drain and a gate of the second thin film transistor (T2) are connected to the electrostatic lead-out line (L2); a source of the first thin film transistor (T1), a source of the second thin film transistor (T2), a gate of the third thin film transistor (T3) and a gate of the fourth thin film transistor (T4) are connected to a first node; a drain of the third thin film transistor (T3) and a drain of the fourth thin film transistor (T4) are connected to the signal line (L1); a source of the third thin film transistor (T3) and a source of the fourth thin film transistor (T4) are connected to the electrostatic lead-out line (L2). The electrostatic discharge unit comprises four thin film transistors having a relatively small volume, and discharge static electricity by means of the third film transistor and the fourth thin film transistor, reducing the wiring space, improving the reliability.
(FR) Cette invention concerne un substrat d'affichage et un dispositif d'affichage. Le substrat d'affichage comprend une ligne de signal située dans une région d'affichage du substrat d'affichage, une ligne de sortie électrostatique dans une région de cadre, et une unité de décharge électrostatique comprenant un premier transistor à couches minces (T1), un deuxième transistor à couches minces (T2), un troisième transistor à couches minces (T3) et un quatrième transistor à couches minces (T4); un drain et une grille du premier transistor à couches minces (T1) sont connectés à la ligne de signal (L1); un drain et une grille du deuxième transistor à couches minces (T2) sont connectés à la ligne de sortie électrostatique (L2); une source du premier transistor à couches minces (T1), une source du deuxième transistor à couches minces (T2), une grille du troisième transistor à couches minces (T3) et une grille du quatrième transistor à couches minces (T4) sont connectées à un premier nœud; un drain du troisième transistor à couches minces (T3) et un drain du quatrième transistor à couches minces (T4) sont connectés à la ligne de signal (L1); une source du troisième transistor à couches minces (T3) et une source du quatrième transistor à couches minces (T4) sont connectées à la ligne de sortie électrostatique (L2). L'unité de décharge électrostatique comprend quatre transistors à couches minces ayant un volume relativement petit, et décharge de l'électricité statique au moyen du troisième transistor à couches minces et du quatrième transistor à couches minces, de sorte à réduire l'espace de câblage tout en améliorant la fiabilité.
(ZH) 一种显示基板及显示装置,包括位于显示基板显示区的信号线,以及边框区的静电导出线和包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)和第四薄膜晶体管(T4)的静电释放单元;第一薄膜晶体管(T1)的漏极和栅极与信号线(L1)连接;第二薄膜晶体管(T2)的漏极和栅极与静电导出线(L2)连接;第一薄膜晶体管(T1)的源极、第二薄膜晶体管(T2)的源极、第三薄膜晶体管(T3)的栅极和第四薄膜晶体管(T4)的栅极与第一节点连接;第三薄膜晶体管(T3)的漏极和第四薄膜晶体管(T4)的漏极与信号线(L1)连接;第三薄膜晶体管(T3)的源极和第四薄膜晶体管(T4)的源极与静电导出线(L2)连接。由于静电释放单元包含四个体积较小的薄膜晶体管,并通过第三、第四薄膜晶体管释放静电,因此,减小了其布线空间,提高了其可靠性。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)