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1. (WO2018219124) DISPOSITIF DE DÉTECTION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE COMMANDE TACTILE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/219124 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/086453
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 11.05.2018
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/105 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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Détails
0216
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
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Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
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caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
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la barrière de potentiel étant du type PIN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
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comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
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Dispositifs commandés par rayonnement
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Structures de capteurs d'images
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
卜倩倩 BU, Qianqian; CN
任庆荣 REN, Qingrong; CN
孙建明 SUN, Jianming; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710407754.202.06.2017CN
Titre (EN) PHOTOELECTRIC DETECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, TOUCH CONTROL SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE COMMANDE TACTILE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 光电探测器件及其制备方法、触控基板及显示面板
Abrégé :
(EN) Provided are a photoelectric detection device and a manufacturing method therefor, a touch control substrate and a display panel. The photoelectric detection device comprises: a substrate (1); a polycrystalline silicon layer (6) formed on the substrate (1), wherein a first doped region (7) and a second doped region (8) are formed in the polycrystalline silicon layer (6); a transparent conductive film (18), at least covering the first doped region (7) on the polycrystalline silicon layer (6); and a metal electrode (141), arranged at the second doped region (8) on the polycrystalline silicon layer (6), wherein the conductive film (18), the metal electrode (141) and the polycrystalline silicon layer (6) form a PIN device. The present invention realizes the high photoelectric conversion efficiency of a photoelectric detection device, with a strong recognition capability.
(FR) L'invention concerne un dispositif de détection photoélectrique et son procédé de fabrication, un substrat de commande tactile et un panneau d'affichage. Le dispositif de détection photoélectrique comprend : un substrat; une couche de silicium polycristallin (6) formée sur le substrat, une première région dopée (7) et une seconde région dopée (8) étant formées dans la couche de silicium polycristallin (6); un film conducteur transparent (18), recouvrant au moins la première région dopée (7) sur la couche de silicium polycristallin (6); et une électrode métallique (141), disposée au niveau de la seconde région dopée (8) sur la couche de silicium polycristallin (6), le film conducteur (18), l'électrode métallique (141) et la couche de silicium polycristallin (6) formant un dispositif PIN. La présente invention réalise l'efficacité de conversion photoélectrique élevée d'un dispositif de détection photoélectrique, avec une forte capacité de reconnaissance.
(ZH) 一种光电探测器件及其制备方法、触控基板和显示面板,包括:基板(1);多晶硅层(6),形成于基板(1)上,多晶硅层(6)中形成有第一掺杂区(7)和第二掺杂区(8);透明的导电膜(18),至少覆盖多晶硅层(6)上第一掺杂区(7)处;金属电极(141),布置于多晶硅层(6)上第二掺杂区(8)处,其中,导电膜(18)、金属电极(141)和多晶硅层(6)构成PIN器件。实现了光电探测器件的高光电转换效率,且识别能力强。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)