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1. (WO2018219084) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU

Pub. No.:    WO/2018/219084    International Application No.:    PCT/CN2018/084847
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Apr 28 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/12
H01L 29/786
H01L 21/77
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
FUZHOU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
福州京东方光电科技有限公司
Inventors: LIU, Xiaowei
刘晓伟
LIU, Bo
刘勃
HUANG, Zhonghao
黄中浩
FAN, Chao
樊超
WANG, Yang
王洋
AN, Yabin
安亚斌
LIU, Zheng
刘正
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces, un procédé de fabrication de celui-ci et un substrat de réseau. Le transistor à couches minces est formé sur un substrat de base (1), et le transistor à couches minces comprend : une couche active (4); une première couche métallique de signal (10), qui est disposée sur une surface de la couche active (4) qui fait face au substrat de base (1); et une seconde couche métallique de signal (11), qui est disposée sur une surface de la couche active (4) qui est opposée à la première couche métallique de signal (10). La couche active (4) comprend une région de formation de canal conducteur (42), et la seconde couche métallique de signal (11) ne recouvre pas la région de formation de canal conducteur (42) de la couche active (4).