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1. (WO2018219034) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/219034 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/081128
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 29.03.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
[IPC code unknown for H01L 27/12][IPC code unknown for H01L 21/77]
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
北京京东方显示技术有限公司 BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区经海一路118号 No. 118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs :
吴俊 WU, Jun; CN
桑琦 SANG, Qi; CN
王建俊 WANG, Jianjun; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710392950.727.05.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
Abrégé :
(EN) A thin film transistor, a manufacturing method therefor, an array substrate, and a display device. The thin film transistor comprises: a first electrode (6), a gate electrode (3), an active layer (10), a source/drain electrode (4), and a second electrode (7); the source/drain electrode (4) is connected to the active layer (10), and the first electrode (6) and the second electrode (7) are oppositely provided; the second electrode (7) and the source/drain electrode (4) are provided on a same layer, and the second electrode (7) and the source/drain electrode (4) are formed during a single composition process. The thin film transistor, the manufacturing method therefor, the array substrate, and the display device may be used for liquid crystal displays.
(FR) La présente invention porte sur un transistor à couches minces, son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un dispositif d'affichage. Le transistor à couches minces comprend : une première électrode (6), une électrode de grille (3), une couche active (10), une électrode de source/drain (4), et une seconde électrode (7); l'électrode de source/drain (4) est connectée à la couche active (10), et la première électrode (6) et la seconde électrode (7) sont disposées de manière opposée; la seconde électrode (7) et l'électrode de source/drain (4) sont disposées sur une même couche, et la seconde électrode (7) et l'électrode de source/drain (4) sont formées pendant un processus de composition unique. Le transistor à couches minces, son procédé de fabrication, le substrat de réseau et le dispositif d'affichage peuvent être utilisés pour des affichages à cristaux liquides.
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。薄膜晶体管,包括:第一电极(6)、栅极(3)、有源层(10)、源漏极(4)以及第二电极(7);源漏极(4)与有源层(10)连接,第一电极(6)与第二电极(7)相对设置;第二电极(7)与源漏极(4)同层设置;第二电极(7)和源漏极(4)在一次构图工艺中形成。薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置可以用于液晶显示。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)