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1. (WO2018218986) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2018/218986    International Application No.:    PCT/CN2018/074924
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
合肥鑫晟光电科技有限公司
Inventors: QIAN, Haijiao
钱海蛟
CAO, Binbin
操彬彬
YANG, Chengshao
杨成绍
HUANG, Yinhu
黄寅虎
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
Abstract:
La présente invention porte sur un procédé de fabrication de transistor à couches minces, sur un transistor à couches minces et sur un substrat d'affichage. Le procédé de fabrication consiste : à former de manière séquentielle, sur un substrat de base (31), une couche de motif de silicium polycristallin (34) et une couche de motif de protection (35) ; à utiliser un premier gaz de gravure pour graver la couche de motif de protection (35) pour obtenir un motif de protection (35*) ; à utiliser le motif de protection (35*) comme plaque de masque et à utiliser un second gaz de gravure pour graver en même temps le motif de protection (35*) et la couche de motif de silicium polycristallin (34) pour obtenir un motif de protection résiduel (35') et un motif de silicium polycristallin (34*) respectivement, la vitesse à laquelle le motif de protection (35*) est gravé par le second gaz de gravure étant supérieure ou égale à la vitesse à laquelle la couche de motif de silicium polycristallin (34) est gravée par le second gaz de gravure ; à former un motif de silicium amorphe (36), le motif de silicium amorphe (36) étant en contact avec un côté gravé du motif de silicium polycristallin (34*), une partie du motif de protection résiduel (35') étant exposée et le motif de silicium polycristallin (34 *) et le motif de silicium amorphe (36) formant ensemble une couche active.