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1. (WO2018218964) DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURE

Pub. No.:    WO/2018/218964    International Application No.:    PCT/CN2018/070036
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Jan 03 00:59:59 CET 2018
IPC: G01K 7/01
G09G 3/00
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: ZHAO, Lijun
赵利军
WANG, Haisheng
王海生
LIU, Yingming
刘英明
XU, Rui
许睿
LI, Changfeng
李昌峰
JIA, Yanan
贾亚楠
WANG, Pengpeng
王鹏鹏
CHENG, Chih-Jen
郑智仁
Title: DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURE
Abstract:
Un dispositif de mesure de température, selon l'invention, comprend : une unité de retard (10) qui comprend un nombre impair d'inverseurs de phase (INV1-INV5) qui sont couplés bout à bout; un transistor de commutation (Tsw), dont une électrode de commande est couplée à une extrémité de sortie (B) de l'unité de retard (10), une première électrode couplée à un noeud de tension de fonctionnement (VDD) du dispositif, et une seconde électrode couplée à une extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10); un premier condensateur (C1), dont une première extrémité est couplée à l'extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10), et une seconde extrémité couplée à une première électrode du transistor de commutation (Tsw) ou à un noeud de mise à la terre (VSS) du dispositif; un transistor sensible à la température (Tsen), dont une électrode de commande est couplée à une extrémité de tension de polarisation (Vth) du dispositif, une première électrode couplée à l'extrémité d'entrée (A) de l'unité de retard (10), et une seconde électrode couplée au noeud de mise à la terre (VSS) du dispositif; une région active d'au moins un transistor (TFT1, TFT2) dans les inverseurs de phase (INV1-INV5) comprenant un matériau semi-conducteur ayant une mobilité d'électrons comprise dans la plage de 0,1cm2V-1s-1 à 20 cm2V1s-1. Le dispositif de mesure peut améliorer la sensibilité de mesure de température.