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1. (WO2018218851) NOUVEL AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR À LARGE BANDE MONTÉ SUR BÂTI

Pub. No.:    WO/2018/218851    International Application No.:    PCT/CN2017/106564
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Oct 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03F 1/30
H03F 3/20
H05K 7/20
G01S 7/02
Applicants: THE 41ST INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION
中国电子科技集团公司第四十一研究所
Inventors: NING, Yuemin
宁曰民
WANG, Qi
王琦
LIU, Jinxian
刘金现
PIAO, Zhiqi
朴智棋
WANG, Tao
王涛
ZHANG, Wenqiang
张文强
SUN, Guoquan
孙国泉
Title: NOUVEL AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR À LARGE BANDE MONTÉ SUR BÂTI
Abstract:
Cette invention concerne un amplificateur de puissance à semi-conducteur à large bande monté sur bâti. Des modules amplificateurs de puissance actifs (1) sont répartis sur les surfaces supérieure et inférieure d'un radiateur (3); un groupeur de puissance multicanal spatial (2) est inséré au centre du radiateur (3); et un signal d'entrée de l'amplificateur de puissance atteint dans un premier temps, au moyen d'un diviseur de puissance de un à quatre, quatre modules amplificateurs de puissance actifs (1) en vue de son amplification, puis est combiné au moyen du groupeur de puissance multicanal spatial (2) afin d'être délivré en sortie. La solution selon l'invention résout efficacement le problème de dissipation de chaleur, tout en améliorant considérablement la capacité de puissance du système.