Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018218769) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE

Pub. No.:    WO/2018/218769    International Application No.:    PCT/CN2017/094550
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jul 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/385
H01L 21/477
H01L 21/34
H01L 21/84
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: LI, Jinming
李金明
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistor à couches minces, comprenant une pluralité d'électrodes de pixel agencées dans une matrice ; chaque électrode de pixel comprend une première zone d'électrode et une seconde zone d'électrode raccordée à la première zone d'électrode ; la première zone d'électrode comprend une première électrode périphérique et quatre premières sous-zones ayant chacune une pluralité de premières électrodes de ramification ; les premières électrodes de ramification sont disposées de manière oblique et selon un angle par rapport à la première électrode périphérique ; la seconde zone d'électrode comprend une seconde électrode périphérique et quatre secondes sous-zones ayant chacune une pluralité de secondes électrodes de ramification ; parmi les quatre secondes sous-zones, les secondes électrodes de ramification dans les deux secondes sous-zones sont disposées latéralement et les secondes électrodes de ramification dans les deux autres secondes sous-zones sont disposées longitudinalement.