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1. (WO2018218712) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES (TFT) EN POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/218712    International Application No.:    PCT/CN2017/089620
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 23 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/77
H01L 27/12
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: WANG, Tao
王涛
Title: SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES (TFT) EN POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention porte sur un substrat de transistor à couches minces (TFT) en polysilicium basse température et sur son procédé de fabrication. Le procédé consiste : sur un substrat (100), à former de manière séquentielle une partie de protection contre la lumière (111), une couche tampon (12) et une partie d'îlot en polysilicium (131) ; à effectuer un dopage par ions de lumière sur deux côtés de la partie d'îlot en polysilicium (131) pour former des régions dopées (1311) et une région de canal (1312) ; à former de manière séquentielle une couche d'isolation de grille (15) et une grille (16) ; à effectuer un dopage par ions lourds sur les régions dopées qui ne sont pas couvertes par la grille (16) pour former des régions fortement dopées de type N (1311A) et une région dopée à la lumière de type N (1311B) ; à former une couche isolante intercouche (17) sur la grille (161), ainsi qu'une source et un drain (181, 182) qui sont raccordés électriquement aux régions fortement dopées de type N.