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1. (WO2018205533) STRUCTURE DE CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE COMMANDE ASSOCIÉ, ET RÉSEAU NEURONAL
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N° de publication : WO/2018/205533 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/110871
Date de publication : 15.11.2018 Date de dépôt international : 14.11.2017
CIB :
G06N 3/063 (2006.01)
[IPC code unknown for G06N 3/063]
Déposants :
清华大学 TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; 中国北京市 海淀区清华大学 Tsinghua University, Haidian District Beijing 100084, CN
Inventeurs :
李辛毅 LI, Xinyi; CN
吴华强 WU, Huaqiang; CN
宋森 SONG, Sen; CN
张清天 ZHANG, Qingtian; CN
高滨 GAO, Bin; CN
钱鹤 QIAN, He; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710322907.309.05.2017CN
Titre (EN) CIRCUIT STRUCTURE AND DRIVE METHOD THEREFOR, AND NEURAL NETWORK
(FR) STRUCTURE DE CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE COMMANDE ASSOCIÉ, ET RÉSEAU NEURONAL
(ZH) 电路结构及其驱动方法、神经网络
Abrégé :
(EN) Provided are a circuit structure and a drive method therefor, and a neural network. The circuit structure (100) comprises: at least one circuit unit (101), wherein each circuit unit (101) comprises a first group of resistive-switching devices (1) and a second group of resistive-switching devices (2); the first group of resistive-switching devices (1) comprises a resistance-value gradually-changing device (10); the second group of resistive-switching devices (2) comprises a resistive-value suddenly-changing device (20); the first group of resistive-switching devices (1) is connected to the second group of resistive-switching devices (2) in series; and with no voltage applied, a resistive value of the first group of resistive-switching devices (1) is greater than a resistive value of the second group of resistive-switching devices (2). In the circuit structure, a resistive-value gradually-changing device is used to be connected to a resistive-value suddenly-changing device in series to form a neuronal-like structure, so as to realize a function of simulating neurons in a human brain.
(FR) L'invention concerne une structure de circuit et son procédé de pilotage, ainsi qu'un réseau neuronal. La structure de circuit (100) comprend : au moins une unité de circuit (101), chaque unité de circuit (101) comprenant un premier groupe de dispositifs de commutation de résistance (1) et un second groupe de dispositifs de commutation de résistance (2); le premier groupe de dispositifs de commutation de résistance (1) comprend un dispositif de changement progressif de valeur de résistance (10); le second groupe de dispositifs de commutation de résistance (2) comprend un dispositif de changement brusque de valeur de résistance (20); le premier groupe de dispositifs de commutation de résistance (1) est connecté au second groupe de dispositifs de commutation de résistance (2) en série ; et sans tension appliquée, une valeur résistive du premier groupe de dispositifs à commutation résistive (1) est supérieure à une valeur résistive du second groupe de dispositifs à commutation résistive (2). Dans la structure de circuit, un dispositif à changement progressif de valeur résistive est utilisé pour être connecté à un dispositif à changement brusque de valeur résistive en série pour former une structure de type neuronal, de manière à réaliser une fonction de simulation de neurones dans un cerveau humain.
(ZH) 一种电路结构及其驱动方法、神经网络。该电路结构(100)包括:至少一个电路单元(101),每个电路单元(101)包括第一组阻变器件(1)和第二组阻变器件(2),第一组阻变器件(1)包括阻值渐变器件(10),第二组阻变器件(2)包括阻值突变器件(20),第一组阻变器件(1)和第二组阻变器件(2)串联连接,在未加电压的情况下,第一组阻变器件(1)的阻值大于第二组阻变器件(2)的阻值。该电路结构利用阻值渐变器件和阻值突变器件串联连接形成类神经元结构,以实现模拟人脑神经元的功能。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)